[发明专利]氮化物系发光二极管在审
| 申请号： | 201410468507.X | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104300051A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 董木森;申利莹;王笃祥;王良均 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
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| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 | ||
1. 一种氮化物系发光二极管，依次包括：衬底、缓冲层、N型氮化物层、发光层和P型氮化物层，其特征在于：所述发光层为由InxGa1-xN/GaN构成的多量子阱结构（MQW），其中至少部分InxGa1-xN阱层中插入至少一渐变InN层。
2. 根据权利要求1所述的氮化物系发光二极管，其特征在于：所述InxGa1-xN阱层中In组分为0.1~0.5。
3. 根据权利要求1所述的氮化物系发光二极管，其特征在于：所述插入InN层的InxGa1-xN阱层的层数为MQW的全部阱层或部分阱层。
4. 根据权利要求1所述的氮化物系发光二极管，其特征在于：所述在InxGa1-xN阱层中插入InN层的层数为1~2。
5. 根据权利要求1所述的氮化物系发光二极管，其特征在于：所述InN层的In组分小于等于InxGa1-xN阱层中In组分，并且沿生长方向呈降低趋势。
6. 根据权利要求5所述的氮化物系发光二极管，其特征在于：所述InN层的In组分由x 渐变到y，0≤y＜x＜1。
7. 根据权利要求6所述的氮化物系发光二极管，其特征在于：0≤y≤0.2。
8. 根据权利要求1所述的氮化物系发光二极管，其特征在于：所述InN层的厚度小于InxGa1-xN阱层厚度。
9. 根据权利要求1所述的氮化物系发光二极管，其特征在于：所述InN层的厚度为0.1~1 nm。
10. 根据权利要求1所述的氮化物系发光二极管，其特征在于：所述InN层在InxGa1-xN阱层中的位置距阱层前端距离d2与InxGa1-xN阱层厚度d1的关系为：d1/2≤d2＜d1。
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