[发明专利]定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构

权利要求书

1.一种定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构，其特征在于，包括：

一次集极层，是由N型III-V族半导体形成，并堆栈在一基板上，其中该基板为砷化镓，且是由(100)朝向(111)B面方向倾斜，而倾斜的角度为0.6°～25°；

一集极层，是堆栈在该次集极层上，并由N型III-V族半导体形成；

一基极层，是堆栈在该集极层上，并由P型III-V族半导体形成；

一射极层，是堆栈在该基极层上，并由N型InGaP或InGaAsP形成；

一射极盖层，是堆栈在该射极层上，并由N型III-V族半导体形成；以及

一欧姆接触层，是堆栈在该射极盖层上，并由N型III-V族半导体形成，

其中，通过该基板是由(100)朝向(111)B面方向倾斜，而倾斜的角度为0.6°～25°的方式，使该射极层的能隙缩小。

2.依据权利要求1所述的异质接面双极性晶体管结构，其特征在于，该集极层为N型GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP及InGaAsP的至少其中之一形成，该基极层是由P型GaAs、InGaAs、InGaAsN及GaAsSb的至少其中之一形成，该射极盖层为N型GaAs、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成，该欧姆接触层为N型GaAs及InGaAs的至少其中之一形成。

3.依据权利要求1所述的异质接面双极性晶体管结构，其特征在于，进一步包括至少一薄层，且该薄层的导电带等于及/或低于该射极层的导电带，并位于该射极层及该基极层之间，其中该薄层由III-V族半导体形成，且该薄层的总厚度介于1埃～1000埃之间。

4.依据权利要求3所述的异质接面双极性晶体管结构，其特征在于，该薄层由AlGaAs、InGaP、InGaAsP、GaAs、GaAsP、InGaAs、GaAsSb及InGaAsN的至少其中之一形成。

5.一种定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构，其特征在于，包括：

一次集极层，是由N型III-V族半导体形成，并堆栈在一基板上，其中该基板为砷化镓，且是由(100)朝向(111)B面方向倾斜，而倾斜的角度为0.6°～25°；

一集极层，是堆栈在该次集极层上，并由N型III-V族半导体形成；

一穿隧集极层，是堆栈在该集极层上，并由InGaP或InGaAsP形成；

一基极层，是堆栈在该穿隧集极层上，并由P型III-V族半导体形成；

一射极层，是堆栈在该基极层上，并由N型能隙大于基极层的III-V族半导体形成；

一射极盖层，是堆栈在该射极层上，并由N型III-V族半导体形成；以及

一欧姆接触层，是堆栈在该射极盖层上，并由N型III-V族半导体形成，

其中，通过该基板是由(100)朝向(111)B面方向倾斜，而倾斜的角度为0.6°～25°的方式，使该穿隧集极层的能隙缩小。

6.依据权利要求5所述的异质接面双极性晶体管结构，其特征在于，该集极层为N型GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP及InGaAsP的至少其中之一形成，该基极层是由P型GaAs、InGaAs、InGaAsN及GaAsSb的至少其中之一形成，该射极层为N型InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成，且该穿隧集极层的厚度为1nm～30nm，而该射极盖层为N型GaAs、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成，该欧姆接触层为N型GaAs及InGaAs的至少其中之一形成。

7.依据权利要求5所述的异质接面双极性晶体管结构，其特征在于，进一步包括至少一薄层，位于该穿隧集极层及该基极层之间，由III-V族半导体形成，其导电带等于及/或低于该穿隧集极层的导电带，且该薄层的总厚度介于1埃～1000埃之间，及/或包括至少一薄层，位于该射极层与该基极层之间，由III-V族半导体形成，其导电带等于及/或低于该射极层的导电带，且该薄层的总厚度介于1埃～1000埃之间。