[发明专利]一种芯片倾斜堆叠的圆片级封装单元及封装方法

权利要求书

1.一种用于制作芯片倾斜堆叠的圆片级封装单元的封装方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）提供圆片级芯片载板（10）、圆片级玻璃载板（12）、合金板和若干组封装芯片单元，每组封装芯片单元包括N个封装芯片，分别为水平芯片Chip0、第一倾斜芯片Chip1、第二倾斜芯片Chip2……第N-1倾斜芯片ChipN-1，且N≥3；

（2）在圆片级芯片载板（10）表面粘贴PET胶膜（11）；

（3）将每组封装芯片单元中背面带有DAF胶膜（5）或FOW胶膜（5）的封装芯片依次粘贴到圆片级芯片载板（10）上，其中水平芯片Chip0水平放置，第一倾斜芯片Chip1倾斜搭在水平芯片Chip0一条边上，第二倾斜芯片Chip2平行交错放置在第一倾斜芯片Chip1上，以此类推，后续倾斜芯片均与其前一个芯片平行交错放置，形成倾斜堆叠结构；

（4）在圆片级芯片载板（10）上表面，自上而下对步骤（3）形成的倾斜堆叠结构施加压力，去除封装芯片底部与圆片芯片载板之间和所有封装芯片之间的气泡；

（5）在圆片级芯片载板（10）上表面刷硅胶，形成硅胶层（6），使其覆盖所有封装芯片单元；

（6）在硅胶层（6）上安装合金板，作为合金层（7），并在真空环境下按压硅胶层（6），去除硅胶层（6）中的气泡，以使硅胶均匀的分布，且表面平整；

（7）固化硅胶层（6）并去除圆片级芯片载板（10）和PET胶膜（11），完成晶圆重构；

（8）将重构好的晶圆，以合金层（7）为结合面贴装在圆片级玻璃载板（12）上；

（9）在DAF（5）或FOW胶膜（5）上形成通孔至所有封装芯片芯片焊盘（9）表面，随后填充通孔形成金属插塞（1），使金属插塞（1）一端与芯片焊盘（9）相接，然后在金属插塞（1）另一端形成金属焊盘（2）；

（10）采用重布线技术RDL对金属焊盘（2）进行重新布局，形成重布线层（3）,去除圆片级玻璃载板（12），并在合金层（7）表面制作用于激光打标的覆盖层（8），最后进行激光打标、植球和切单，形成芯片倾斜堆叠的圆片级封装单元。

2.根据权利要求1所述的一种用于制作芯片倾斜堆叠的圆片级封装单元的封装方法，其特征在于：所述若干组封装芯片单元中的倾斜芯片的芯片焊盘（9）均在芯片设计中用重新布线RDL方法布局在了倾斜芯片的一侧；所述重布线层（3）的制作工序，是在步骤（9）所有芯片焊盘（9）的通孔、金属插塞（1）和金属焊盘（2）完成后同步进行。

3.根据权利要求1所述的一种用于制作芯片倾斜堆叠的圆片级封装单元的封装方法，其特征在于：所述通孔通过干法刻蚀或激光钻孔方式形成；所述金属插塞（1）和金属焊盘（2）通过物理气相淀积PVD、电镀或化学镀方法形成；所述通孔、金属插塞（1）和金属焊盘（2）的形成按照芯片焊盘（9）表面的DAF胶膜（5）或FOW胶膜（5）膜厚不同分别形成。

4.根据权利要求1所述的一种用于制作芯片倾斜堆叠的圆片级封装单元的封装方法，其特征在于：所述封装芯片单元中水平芯片Chip0的多条边上均放置倾斜芯片，且每边放置的倾斜芯片的数量大于2。