[发明专利]氨气传感器有效

专利信息
申请号: 201410470291.0 申请日: 2014-09-15
公开(公告)号: CN104267139A 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 汤忠华;潘登;刘屿;滕卫星;陈烈 申请(专利权)人: 金坛鸿鑫电子科技有限公司
主分类号: G01N31/12 分类号: G01N31/12
代理公司: 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 代理人: 王美华
地址: 213215 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 氨气 传感器
【说明书】:

技术领域

发明涉及气体传感器,特别涉及一种氨气传感器。 

背景技术

随着人们生活水平的不断提高和社会对环境质量的日益关注,人们越来越需要对各种有毒、有害气体进行探测,对大气污染以及工业废气的监测都对气体传感器提出了高的要求。例如,在汽车尾气处理中,处理不完全会有氨气排出,因此就需要应用氨气传感器。 

发明内容

本发明要解决的技术问题是:为了克服现有汽车尾气处理不完全的不足,本发明提供一种氨气传感器。 

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种氨气传感器,包括上层基片、中层基片和下层基片,所述上层基片与中层基片之间具有一定空间,所述空间内形成有相邻的进气区和反应区,所述进气区和反应区相隔离; 

所述上层基片上开设有第一进气口和第二进气口,第一进气口与进气区连通,第二进气口与反应区连通; 

所述上层基片上从靠近第二进气口的位置开始依次设有多个第二加热体; 

所述中层基片上设有氧泵、第一氧传感器和第二氧传感器,所述第一氧传感器位于进气区的靠近第一进气口的位置,所述第二氧传感器位于反应区的远离第二进气口的一端,所述氧泵位于靠近第二进气口的位置。 

所述下层基片上设有第一加热体,所述第一加热体在中层基片上从靠近第 一进气口的位置开始一直往靠近第二氧传感器的位置延伸。 

所述上层基片上从靠近第二进气口的位置开始依次设有三个第二加热体,三个第二加热体从靠近第二进气口的位置一直延伸到靠近第二氧传感器的位置。 

所述第一进气口位于反应区的靠近进气区的一端,第二进气口位于进气区的靠近反应区的一端。 

本发明的有益效果是,本发明的氨气传感器,可以精确地得出检测气体中的氨气含量。 

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。 

图1是本发明的氨气传感器最优实施例的结构示意图。 

图中10、上层基片,11、第一进气口,12、第二进气口,13、第二加热体,20、中层基片,21、氧泵、22、第一氧传感器,23、第二氧传感器,30、下层基片,31、第一加热体,40、进气区,50、反应区。 

具体实施方式

现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本发明的基本结构,因此其仅显示与本发明有关的构成。 

如图1所示,本发明的一种氨气传感器,包括上层基片10、中层基片20和下层基片30,所述上层基片10与中层基片20之间具有一定空间,所述空间内形成有相邻的进气区40和反应区50,所述进气区40和反应区50相隔离。 

所述上层基片10上开设有第一进气口11和第二进气口12,所述第一进气口11位于反应区50的靠近进气区40的一端,第二进气口12位于进气区40的靠近反应区50的一端,并且第一进气口11与进气区40连通,第二进气口12与反应区50连通。 

所述上层基片10上从靠近第二进气口12的位置开始依次设有三个第二加热体13;三个第二加热体13从靠近第二进气口12的位置一直延伸到靠近第二氧传感器23的位置。 

所述中层基片20上设有氧泵21、第一氧传感器22和第二氧传感器23,所述第一氧传感器22位于进气区40的靠近第一进气口11的位置,所述第二氧传感器23位于反应区50的远离第二进气口12的一端,所述氧泵21位于靠近第二进气口12的位置。 

所述下层基片30上设有第一加热体31,所述第一加热体31在中层基片20上从靠近第一进气口11的位置开始一直往靠近第二氧传感器23的位置延伸。 

本发明的原理如下: 

根据化学式:NH3+O2→N2+H2O(600℃~700℃),可以知道,氨气在(600℃~700℃)与氧气燃烧,反应后生成氮气和水。 

根据以上条件,如图1所示, 

第一氧传感器22,检测第一进气口11处的含氧量,所得含氧量数值,为当前检测气体氧含量的初始值,记为O2(初始值)。由于进气区40和反应区50隔离,第一进气口11处的含氧量不会受到反应区的影响,能够检测到稳定的检测气体氧含量的初始值。 

氧泵21,通过从第二进气口12处泵入恒定值的氧气在反应区50燃烧,记为O2(恒定值)。 

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