[发明专利]一种具有上电清零功能的电平转换器在审
| 申请号： | 201410471349.3 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104184458A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 车文毅 | 申请（专利权）人： | 上海坤锐电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 清零 功能 电平 转换器 | ||
1.一种具有上电清零功能的电平转换器，其特征在于，包括第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(202)、第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管(203)、第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管(204)、第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管(205)、第五P型金属氧化物半导体场效应晶体管(210)、第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管(206)、第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管(207)、第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管(208)、第四N型金属氧化物半导体场效应晶体管(209)和第五N型金属氧化物半导体场效应晶体管(211)；
上述各元件的连接关系如下：
所述的第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(202)的源极与第一电源(Vdd2)连接、漏极与所述的第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管(204)的源极连接；
所述的第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管(203)的源极与第二电源(Vdd2')连接、漏极与所述的第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管(205)的源极连接；
所述的第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管(204)的漏极与所述的第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管(203)的栅极和第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管(206)的漏极连接；
所述的第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管(205)的漏极、第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(202)的栅极、第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管(207)的漏极和第四N型金属氧化物半导体场效应晶体管(209)的漏极构成电路的公共输出节点(Dout)；
所述的第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管(206)的源极与第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管(208)的漏极连接；
所述的第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管(207)的源极、第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管(208)的源极、第四N型金属氧化物半导体场效应晶体管(209)的源极、第五N型金属氧化物半导体场效应晶体管(211)的源极分别接地；
所述的第五P型金属氧化物半导体场效应晶体管(210)的源极与第三电源(Vdd1)连接，漏极与所述的第五N型金属氧化物半导体场效应晶体管(211)的漏极、第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管(205)的栅极、第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管(207)的栅极构成公共节点；
所述的第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管(204)的栅极、第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管(206)的栅极、第五P型金属氧化物半导体场效应晶体管(210)的栅极和第五N型金属氧化物半导体场效应晶体管(211)的栅极构成公共节点与第一输入信号(Din)连接；
所述的第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管(208)的栅极与第二输入信号(Por)连接，所述的第四N型金属氧化物半导体场效应晶体管(209)的栅极与第三输入信号(Por_n)连接。
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