[发明专利]一种反应腔室

权利要求书

1.一种反应腔室，其特征在于，包括工艺腔、检测腔和传输装置，其中，

所述工艺腔用于对基片进行薄膜沉积工艺；

所述检测腔用于检测沉积在基片上的薄膜厚度；

所述检测腔设置在所述工艺腔的侧壁上；

在所述工艺腔与检测腔之间具有使二者相连通、且供基片通过的传片口，所述传输装置用于通过所述传片口在所述工艺腔和所述检测腔之间传输基片；

在所述工艺腔内设置有用于承载基片的升降基座；

所述传输装置包括支撑环和第一驱动机构，在所述支撑环上设置有用于支撑所述基片的支撑体，所述第一驱动机构用于驱动所述支撑环通过所述传片口传输至所述工艺腔内的装卸位置，或者通过所述传片口传输至所述检测腔内的检测位置；

所述支撑环的内径大于所述升降基座的外径，在所述支撑环位于所述装卸位置时，所述升降基座位于所述支撑环环孔的正投影内，通过所述升降基座在所述支撑环的环孔内上升，以实现将位于支撑体上的所述基片传递至所述升降基座上；以及，通过所述升降基座在支撑环的环孔内下降，以实现将置于所述升降基座上的基片传递至所述支撑体上，并且，在所述升降基座下降至所述支撑环的下方时，借助所述第一驱动机构驱动所述支撑环通过所述传片口传输至所述检测腔内的检测位置。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述支撑体所在圆周的最小直径小于等于所述升降基座的外径，并且在所述升降基座的外侧壁上设置有沿其轴向且贯穿所述升降基座厚度的凹槽，所述凹槽与所述支撑体对应设置；

在所述支撑环位于所述装卸位置，且所述升降基座作升降运动的过程中，所述支撑体在与之相对应的所述凹槽内升降。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述支撑体包括沿所述支撑环周向间隔设置的多个顶针。

4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述支撑体所在圆周的最小直径大于所述基座的外径且小于所述基片的外径。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述检测腔包括检测装置和控制装置，所述检测装置设置在所述检测腔的顶壁上，用于向所述基片上表面发射信号，并接收自所述基片上表面反射的信号且将其发送至控制装置；

所述控制装置用于根据来自所述检测装置的信号获得所述基片表面沉积薄膜的实际厚度，并判断所述实际厚度与目标厚度是否相等，若是，则控制所述传输装置将所述基片自所述检测腔移动至所述工艺腔，并结束工艺；若否，则对工艺配方中的工艺参数进行调整，并控制所述传输装置将所述基片自所述检测腔移动至所述工艺腔，且执行调整之后的工艺配方继续沉积薄膜。

6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述工艺配方中包括工艺时间，所述控制装置对所述工艺配方的工艺时间进行调节，且工艺时间的延长量ΔT按照如下公式计算：

其中，THK B为基片表面上沉积的实际薄膜厚度；T1为沉积实际薄膜厚度所进行的总工艺时间；THK A为目标厚度。

7.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述检测装置包括超声波探头或者光学探头。