[发明专利]光半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201410471503.7 | 申请日: | 2014-09-16 |
公开(公告)号: | CN104465972B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 藤田宏之;奥定夫;塚越功二;林惠一郎 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/56;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种红外线截止型光半导体装置,其特征在于,
该光半导体装置由以下部分构成:
树脂模塑引线框基板,该树脂模塑引线框基板具有中空部;
光半导体元件,该光半导体元件被安装在所述树脂模塑引线框基板上的安装面上;以及
透明密封树脂,该透明密封树脂被填充到所述中空部的内部,覆盖所述光半导体元件的上表面和侧面,在该透明密封树脂中混合有含有铜离子的粒子状的磷酸盐系玻璃,
所述含有铜离子的粒子状的磷酸盐系玻璃在以体积率表示时在25%至40%的范围内包含所述粒子直径大于等于2.8μm且小于6.0μm的粒子,并且,在以体积率表示时在15%至30%的范围内包含所述粒子直径大于等于6.0μm的粒子。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置,其特征在于,
在所述透明密封树脂的上表面配置有罩玻璃。
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