[发明专利]PI型超薄双面铜箔基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410471614.8 申请日: 2014-09-16
公开(公告)号: CN105398135A 公开(公告)日: 2016-03-16
发明(设计)人: 杜柏贤;洪金贤;林志铭;陈辉;李莺 申请(专利权)人: 昆山雅森电子材料科技有限公司
主分类号: B32B15/08 分类号: B32B15/08;B32B15/20;B32B37/10
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: pi 超薄 双面 铜箔 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种双面铜箔基板,特别涉及一种具有低Dk、Df特性以及超薄特性,并且适用于半加成法的高尺安、低反弹力、易操作、离子迁移型佳的PI型双面铜箔基板。

背景技术

在电子及通讯产品趋向多功能复杂化的市场需求下,电路基板的构装需要更轻、薄、短、小;而在功能上,则需要强大且高速讯号传输。因此,线路密度势必提高,载板线路之间的彼此间距离越来越近,以及工作频率朝向高宽带化。轻薄且可随意弯曲的特性,使得软板在走向诉求可携带式信息与通讯电子产业的发展上占有举足轻重的地位。

由于电子通讯产品更臻小趋势,驱使软板必须承载更多更强大功能,另一方面由于可携式电子产品走向微小型,也跟着带动高密度软板技术的高需求量,功能上则要求强大且高频化、高密度、细线化的情况之下,目前市场上已推出了用于薄膜型软性印刷线路板(FPC)的屏,在手机、数位照相机、数位摄影机等小型电子产品中被广泛采用。

有鉴于此,亟待开发一种用于薄型高密度线路的材料。

发明内容

为了解决上述问题,本发明提供了一种PI型超薄双面铜箔基板及其制造方法,该PI型超薄双面铜箔基板具有极低的Dk、Df特性,具有极佳的离子迁移性、耐化性、耐热性和尺寸安定性,在操作性上,高尺安特性符合半加成法的工艺技术形成精细线路的要求,该PI型超薄双面铜箔基板在特性和操作性上优于传统的一般型双面铜箔基板,特别适用于高品质传输需求的薄型高密度线路,本发明所生产出的PI型超薄双面铜箔基板性价比高、特性佳,处于业内领先行列。

本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种PI型超薄双面铜箔基板,由第一铜箔、第一热固性聚酰亚胺层、商品化热固性聚酰亚胺层、第二热固性聚酰亚胺层和第二铜箔构成,所述商品化热固性聚酰亚胺层位于所述第一热固性聚酰亚胺层和所述第二热固性聚酰亚胺层之间,所述第一热固性聚酰亚胺层位于所述第一铜箔和所述商品化热固性聚酰亚胺层之间,所述第二热固性聚酰亚胺层位于所述商品化热固性聚酰亚胺层和所述第二铜箔之间,其中,所述第一热固性聚酰亚胺层、商品化热固性聚酰亚胺层和第二热固性聚酰亚胺层三者的厚度总和为10-60微米,所述第一铜箔和所述第二铜箔的厚度各自为0.25-5微米。

进一步地说,所述商品化热固性聚酰亚胺层的厚度为5-38微米。

进一步地说,所述第一热固性聚酰亚胺层和所述第二热固性聚酰亚胺层各自为热固性聚酰亚胺接着剂涂层。

进一步地说,所述第一热固性聚酰亚胺层和所述第二热固性聚酰亚胺层各自为2-6微米。

进一步地说,所述第一铜箔和所述第二铜箔各自为载体铜箔。更进一步地说,所述第一铜箔和所述第二铜箔的厚度各自为1-2微米。

本发明还提供了一种上述PI型超薄双面铜箔基板的制造方法,按下述步骤进行:

步骤一:在商品化热固性聚酰亚胺层的上、下表面分别涂布第一热固性聚酰亚胺层和第二热固性聚酰亚胺层,并以线上直接压合方式在第一热固性聚酰亚胺层和第二热固性聚酰亚胺层上压合载体铜箔,形成第一热固性聚酰亚胺层和第二热固性聚酰亚胺层处于半聚合半固化状态的半成品双面铜箔基板;

步骤二:烘烤所述半成品双面铜箔基板,得到第一热固性聚酰亚胺层和第二热固性聚酰亚胺层聚合固化后的双面铜箔基板;

步骤三:剥离载体铜箔的载体层,制得本发明所述PI型超薄双面铜箔基板成品。

进一步地说,上述方法中,步骤一中采用50-150℃低温压合,步骤二中采用小于200℃聚合固化温度。

本发明还提供了另一种上述PI型超薄双面铜箔基板的制造方法,按下述步骤进行:

步骤一:在载体铜箔的铜箔上涂布热固性聚酰亚胺层,并以线上直接压合方式将涂布有第一热固性聚酰亚胺层的第一载体铜箔和涂布有第二热固性聚酰亚胺层的第二载体铜箔分别压合于商品化热固性聚酰亚胺层的上下两面,形成第一热固性聚酰亚胺层和第二热固性聚酰亚胺层处于半聚合半固化状态的半成品双面铜箔基板;

步骤二:烘烤所述半成品双面铜箔基板,得到第一热固性聚酰亚胺层和第二热固性聚酰亚胺层聚合固化后的双面铜箔基板;

步骤三:剥离第一载体铜箔和第二载体铜箔各自的载体层,制得本发明所述PI型超薄双面铜箔基板成品。

进一步地说,上述方法中,步骤一中采用50-150℃低温压合,步骤二中采用小于200℃聚合固化温度。

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