[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

下封装，上面安装有下元件并且包括基板以及布置在所述基板上的第一种子图案部分；

第二种子图案部分，布置在所述第一种子图案部分上；

金属柱，通过所述第一种子图案部分和所述第二种子图案部分连接到所述下封装并且包括至少一个金属材料部分；以及

上封装，上面安装有上元件，并且所述上封装经由焊料球连接到所述金属柱上，

其中，所述金属柱的侧表面与所述第二种子图案部分直接物理接触，并且

其中，所述金属柱的下表面与所述第一种子图案部分直接物理接触。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属材料部分具有形成在其表面上的表面处理层。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述表面处理层形成在所述金属柱的上表面和侧面。

4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述表面处理层是由Au和Ni中的至少一种金属材料制成的。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属柱被配置为使得所述金属柱连接到所述焊料球的一端的宽度小于另一端的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属柱的宽度从连接到所述焊料球的一端朝向另一端逐渐增加。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属柱被配置为使得一端的宽度形成为另一端的宽度的50％至90％。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属柱被配置为使得在纵向方向的表面相对于所述下封装的基板的表面倾斜5°至45°的角度。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属柱连接到所述焊料球上的一端进入所述焊料球中。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属柱是由Cu、Sn、Pb和Ag中的至少一种材料制成的。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属柱包括第一金属材料的焊料部分和第二金属材料的金属材料部分。

12.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述焊料部分是由Sn和Cu的合金材料或者Sn和Ag的合金材料制成的。

13.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述焊料部分的熔点为230℃至250℃。

14.根据权利要求4所述的半导体封装，进一步包括形成在所述第一种子图案部分上的阻焊剂图案，从而能够暴露所述第一种子图案部分的上表面的一部分。