[发明专利]一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法，其特征为：制绒后，在硅片制绒面上制备一层二氧化硅。

2.如权利要求2所述的一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法，其特征为：其中二氧化硅使用光化臭氧发生器制备而成。

3.一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法，其特征为：包括以下步骤：

1）将硅片进行常规制绒；

2）将制绒后的硅片置于光化臭氧产生器产生的臭氧氛围中，使硅片的制绒面在臭氧中氧化，得到1-20nm的二氧化硅；

3）把在臭氧中氧化后的硅片进行扩散工艺，再进行常规镀膜、正反面电极印刷、烧结。

4.如权利要求3所述的一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法，其特征为：光化臭氧产生器的氧气流量为2-40L/min，吹扫时间为0.2-60min。

5.如权利要求3所述的一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法，其特征为：扩散工艺共包括以下步骤，扩散设备采用荷兰TEMPRESS扩散炉：

1、准备阶段：大N2流量5slm，压力5pa； 

2、进舟阶段：大N2 流量5slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力5Pa；

3、出舟阶段：大N2 流量5slm 2slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力-30pa，时间8min；

4、检漏阶段：炉内通入氮气8.5slm，大N2 流量5slm 2slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力-200pa，时间2min；

5、加热阶段：大N2 流量12slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力10pa，时间15min；

6、扩散阶段：大N2 流量12slm，O2 流量350sccm，小N2 流量1000sccm，压力10pa，时间15min，温度800℃ -850℃ ；

7、后氧化阶段：大N2 流量12slm，O2 流量500sccm，小N2 流量50sccm，压力10pa，时间6min； 

8、推进阶段：大N2 流量12slm，O2 流量4500sccm，小N2 流量50sccm，压力10Pa，时间6min；

9、扩散阶段：大N2 流量12slm，O2 流量350sccm，小N2 流量1000sccm，压力10pa，时间2min，温度800℃ -850℃ ；

10、推进阶段：：大N2 流量12slm，O2 流量500sccm，小N2 流量50sccm，压力10pa，时间7min； 

11、冷却阶段：大N2 流量12slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力15Pa，时间15min；

12、进桨阶段：大N2 流量10slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力-30Pa，时间10min；

13、退出阶段：大N2 流量12slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力5Pa，时间8min。