[发明专利]用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料有效
| 申请号： | 201410473416.5 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104328326B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王国祥;沈祥;徐培鹏;吕业刚;陈益敏;田曼曼;李军建;戴世勋;聂秋华;徐铁峰 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C22C30/06 | 分类号： | C22C30/06;C23C14/35;C23C14/14;H01L45/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 蔡菡华 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 zn sb se 存储 薄膜 材料 | ||
【权利要求书】：
1.用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料，其特征在于所述的相变存储薄膜材料为富Sb的Zn-Sb-Se化合物，其化学结构式为ZnxSbySez，其中：0<x<35，45<y<55，20<z<55，x+y+z=100。
2.如权利要求1所述的用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料，其特征在于所述的相变存储薄膜材料的化学结构式为Zn19.0Sb45.7Se35.3。
3.如权利要求1所述的用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料，其特征在于所述的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料由ZnSb合金靶和SbSe合金靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶共溅射获得。
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