[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410475181.3 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105480936B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘；
在所述焊盘的两侧壁上形成侧墙；
提供封帽晶圆，所述封帽晶圆上形成有键合层，和位于所述键合层之间的凹槽；
进行键合工艺，将所述封帽晶圆上的键合层和所述器件晶圆上的焊盘键合在一起，当所述键合层和所述焊盘键合有电性连接时，所述侧墙在键合过程中消耗完。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述焊盘的材料为金属铝。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙的材料为锗。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述焊盘的方法包括以下步骤：
在所述器件晶圆表面上形成焊盘材料层；
在所述焊盘材料层的上方形成图案化的掩膜层；
以所述图案化的掩膜层为掩膜刻蚀所述焊盘材料层，形成所述焊盘。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述侧墙的方法包括以下步骤：
在所述器件晶圆和所述焊盘的表面上形成侧墙材料层；
回蚀刻所述侧墙材料层，在所述焊盘的侧壁上形成所述侧墙。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述封帽晶圆上的键合层为锗。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述键合工艺为铝锗合金键合。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，如果Al-Ge合金键合有电性连接，则所述侧墙厚度≤0.590*所述焊盘厚度。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体器件为MEMS器件。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括：
器件晶圆，所述器件晶圆上形成有焊盘，所述焊盘的侧壁上形成有侧墙；
封帽晶圆，所述封帽晶圆上形成有键合层，和位于所述键合层之间的凹槽；
所述封帽晶圆上的键合层和所述器件晶圆上的焊盘相键合，当所述键合层和所述焊盘键合有电性连接时，所述侧墙在键合过程中消耗完。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘的材料为金属铝，所述封帽晶圆上的键合层为锗。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述侧墙的材料为锗。
13.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求10-12任一项所述的半导体器件。
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