[发明专利]VDMOS沟槽刻蚀方法及VDMOS在审
| 申请号： | 201410476065.3 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105489482A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | vdmos 沟槽 刻蚀 方法 | ||
1.一种垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管VDMOS沟 槽刻蚀方法，其特征在于，该方法在真空腔体中采用感应耦合等离子 体刻蚀工艺对半导体衬底进行刻蚀，在刻蚀的过程中所述真空腔体的 压力为120到130毫托。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
在刻蚀过程中所述真空腔体的压力为125毫托。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀过程中，射频 电极上施加的功率为780-820W。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在刻蚀过程中在所述 射频电极上施加的功率具体为800W。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，刻蚀过程的时长为 230-240s。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，刻蚀过程的时长具体 为235s。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在刻蚀过程中，通入 到真空腔内的组分气体为HBr、He/O2和NF3。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在刻蚀过程中，HBr 气体的流量为60sccm；He/O2气体的流量为10sccm；NF3气体的流量 为4sccm。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在刻蚀过程中，在射 频电极的两极之间施加强度为60Gs的磁场。
10.一种利用如权利要求1-9任一项所述的方法制作的垂直双扩 散金属-氧化物半导体场效应晶体管VDMOS。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
