[发明专利]一种制造气体敏感薄膜材料的方法无效
申请号: | 201410476262.5 | 申请日: | 2014-09-18 |
公开(公告)号: | CN104280520A | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 刘子骥;张安然;于云飞;谢佳林;郑兴;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01N33/00 | 分类号: | G01N33/00 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制造 气体 敏感 薄膜 材料 方法 | ||
1.一种制造气体敏感薄膜材料的方法,其特征在于,包括:
将氧化石墨烯分散于第一铺展剂中,获得氧化石墨烯分散液;
用LB成膜法使用所述氧化石墨烯分散液在基片上形成氧化石墨烯薄膜;
将形成了所述氧化石墨烯薄膜的所述基片置于盛有去离子水或者超纯水的容器进行热蒸,在所述基片上形成多孔氧化石墨烯网,并且所述多孔氧化石墨烯网中的氧化石墨烯被部分还原;
将酞菁酮分散于第二铺展剂中,获得酞菁酮分散液;
用LB成膜法使用所述酞菁酮分散液在所述基片的所述多孔氧化石墨烯网上形成酞菁酮薄膜。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,用LB成膜法使用所述氧化石墨烯分散液在基片上形成氧化石墨烯薄膜的步骤包括:
将所述氧化石墨烯分散液滴加于LB膜槽中,使其铺展于亚相表面形成氧化石墨烯薄膜;
将所述氧化石墨烯薄膜转移到所述基片上。
3.如权利要求1或者2所述的方法,其特征在于:所述第一铺展剂为甲醇。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,用LB成膜法使用所述酞菁酮分散液在所述基片的所述多孔氧化石墨烯网上形成酞菁酮薄膜的步骤包括:
将所述酞菁酮分散液滴加于LB膜槽中,使其铺展于亚相表面形成酞菁酮薄膜;
将所述酞菁酮薄膜转移到所述基片的所述多孔氧化石墨烯网上。
5.如权利要求1或者4所述的方法,其特征在于:所述第二铺展剂为氯仿。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的方法,其特征在于,将形成了所述氧化石墨烯薄膜的所述基片置于盛有去离子水的容器进行热蒸的步骤包括:将形成了所述氧化石墨烯薄膜的所述基片置于盛有去离子水的容器顶部,在195至200摄氏度的环境下热蒸2.5至3小时。
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