[发明专利]一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法

权利要求书

1.一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法，其特征在于，具体步骤包括：

步骤1：在N型单晶硅片的正面制绒，使用磷扩散，刻蚀清洗，镀减反膜；

步骤2：在N型单晶硅片的背面印刷全铝背场并烘干；

步骤3：在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结；

步骤4：在全铝背场上印刷导电银浆作为电极并烘干。

2.如权利要求1所述的全铝背发射极N型单晶电池的制作方法，其特征在于，所述步骤2中采用钢片网板和钢制刮刀印刷全铝背场。

3.如权利要求1所述的全铝背发射极N型单晶电池的制作方法，其特征在于，所述的步骤4中导电银浆为低温导电银浆。

4.如权利要求1所述的全铝背发射极N型单晶电池的制作方法，其特征在于，所述的步骤1中所述的镀减反膜为使用管式PECVD镀氮化硅减反膜。