[发明专利]多结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.多结太阳能电池，至少包括晶格失配的第一子电池和第二子电池，一渐变缓冲层形成于所述第一、第二子电池之间，一隧穿结插入所述渐变缓冲层内，所述隧穿结与两侧渐变缓冲层失配，同时具有应力平衡和隧穿效应。

2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于：所述隧穿结的带隙不低于两侧渐变缓冲层。

3.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于：所述隧穿结的晶格常数大于两侧渐变缓冲层的晶格常数。

4.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于：所述隧穿结将渐变缓冲层分为上、下两部分，其采用同型同质材料、组分不同、晶格递变。

5.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于：还包括一第三子电池，其与所述第二子电池连接。

6.根据权利要求5所述的多结太阳能电池，其特征在于：所述三结子电池构成倒装电池，其中第二、第三子电池的晶格常数匹配。

7.多结太阳能电池的制备方法，包括至少形成晶格失配的第一、第二子电池及一渐变缓冲层，所述形成的渐变缓冲层形成于第一、第二子电池之间，并在所述形成的渐变缓冲层内插入一隧穿结，所述形成的隧穿结与两侧渐变缓冲层失配，同时具有应力平衡和隧穿效应。

8.根据权利要求7所示的多结太阳能电池的制备方法，还包括形成一第三子电池，其晶格常数与第二子电池匹配。

9.根据权利要求8所示的多结太阳能电池的制备方法，包括下面步骤：

1）提供一生长衬底，在其上依次倒装生长第三子电池、第二子电池，其晶格常数与所述生长衬底匹配；

2）在所述形成的第二子电池上外延生长一渐变缓冲层的底层；

3）在所述形成的渐变缓层底层之上形成一隧穿结；

4）在所述形成的隧穿结上继续外延生长渐变缓冲层，使得所述形成的隧穿结插入在渐变缓冲层，并与两侧渐变缓冲层失配，同时具有应力平衡和隧穿效应；

5）在所述渐变缓冲层上倒装生长第一子电池，其晶格常数与所述第二、第三子电池失配。

10.根据权利要求7所述的多结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述形成的隧穿结的晶格常数大于两侧渐变缓冲层的晶格常数。