[发明专利]肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中应用

说明书

技术领域

本发明属于生物医药技术领域，特别涉及肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中应用。

背景技术

围生期缺氧缺血是新生儿脑瘫发生的重要原因，少突胶质前体细胞在缺氧缺血中具有比神经元更高的敏感性和易损性，是由于缺氧缺血引起的脑瘫中重要靶细胞。而少突胶质前体细胞在缺氧缺血时细胞膜电生理变化比形态学和表达受体改变具有敏感性，因此控制细胞膜电生理变化来治疗脑损伤具有更高的敏感性。但是目前未见利用控制细胞膜电生理变化来缓解脑损伤的报道。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中应用。

为实现上述发明目的，本发明提供如下技术方案：

肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中的应用。

优选的，所述脑损伤为缺氧缺血性脑损伤。

优选的，所述脑损伤为围生期缺氧缺血性脑损伤。

更优选的，所述肾上腺素受体拮抗剂为哌唑嗪。

本发明的有益效果在于：本发明公开了肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中的应用，为肾上腺素受体拮抗剂提供了新的医药用途，为临床治疗脑损伤引起钠电流增加奠定了基础。

附图说明

为了使本发明的目的、技术方案和有益效果更加清楚，本发明提供如下附图：

图1为全细胞记录电压门控钠通道电流的电压刺激模式，刺激时长40ms。

图2为空白组组小鼠少突胶质前体细胞电流图。

图3为缺氧缺血组小鼠少突胶质前体细胞电流图。

图4为阴性对照组少突胶质前体细胞电流图。

图5为缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组小鼠少突胶质前体细胞电流图。

图6为空白组小鼠少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线。

图7为缺氧缺血组少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线。

图8为阴性对照组少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线。

图9为缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明的优选实施例进行详细的描述。实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件或按照制造厂商所建议的条件。

实施例1

围生期缺氧缺血模型的制备：取出生后7天小鼠，乙醚麻醉后，置仰卧位，四肢头部固定，75％酒精消毒，在体视显微镜下，作颈部正中切口，分离、结扎并完全离断左侧颈总动脉，缝合皮肤后待动物复苏。将复苏后小鼠置于1L容积的缺氧仓内，缺氧仓置于恒温水浴箱中，维持环境温度为37℃，然后按1L/min持续通入氧氮混合气(其中氧的体积分数为8％，氮气的体积分数为92％)2h，制成围生期缺氧缺血模型。以制成模型中出现自发左旋或夹尾左旋者纳入后续实验。

分别取围生期缺氧缺血模型和正常小鼠分为4组，分别为空白组、阴性对照组，缺氧缺血组和缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组。其中空白组是将正常小鼠不经过任何处理；阴性对照组取正常小鼠，然后皮内注射盐酸去甲肾上腺素(注射剂量为0.01mg/kg，注射前用无菌生理盐水稀释)，以激活α1受体；缺氧缺血组用围生期缺氧缺血模型不经过任何处理；缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组为围生期缺氧缺血模型鉴定纳入后，立即皮内注射肾上腺素α1受体拮抗剂盐酸哌唑嗪(注射剂量为0.1mg/kg，注射前用无菌生理盐水稀释)。注射后2小时将实验鼠用于制备脑片，具体方法如下：将动物断头后，迅速取脑置于含95％氧气和5％二氧化碳的4℃冰冷人工脑脊液内冷却1min，然后用清洁、锋利的解剖刀和弯镊清除软脑膜等组织后修块，接着用振动切片机将脑切成400μm厚的活体脑切片，切片在32℃条件下恒温水浴，然后再用95％氧气和5％二氧化碳饱和的人工脑脊液孵育脑片；将灌流槽置于正置水浸物镜红外相差显微镜的载物台上，将脑片固定于灌流槽内，在实验中持续灌流人工脑脊液，流速约2mL/min。选取直径在20μm左右、反光均匀、轮廓清晰、活性好的细胞膜片钳。