[发明专利]单元像素、阵列基板、显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种用于显示装置的阵列基板的像素单元，包括栅线、源漏电极线和TFT，其特征在于：

所述栅线为叠层结构，包括自下而上依次叠置的第一MoW层、Cu层和第二MoW层；

所述TFT的栅极由所述第一MoW层形成。

2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述TFT的有源层为氧化物。

3.一种制造像素单元的方法，用于制造如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基板上形成由第一MoW层、Cu层和第二MoW层形成的所述叠层结构；

S2、在所述叠层结构之上，且在所述栅线所在的区域以及所述TFT所在的区域，涂覆光阻材料，并且，通过半曝光工艺，使所述栅线所在的区域的光阻材料的厚度大于所述TFT所在的区域的光阻材料的厚度；

S3、对未涂覆光阻材料的区域的叠层结构进行刻蚀，以去除未涂覆光阻材料的区域的所有叠层结构；

S4、对所述光阻材料进行刻蚀，使得所述TFT所在的区域的光阻材料完全被刻蚀，暴露出叠层结构，而位于栅线所在的区域的光阻材料不完全刻蚀；

S5、对步骤S4中所暴露出的叠层结构进行刻蚀，以除去所暴露出的叠层结构中的第二MoW层和Cu层，暴露出第一MoW层；

S6、以步骤S5中暴露出的第一MoW层为栅极层制作所述TFT。

4.如权利要求3所述的制造像素单元的方法，其特征在于，在所述步骤S6中，使用氧化物作为所述TFT的有源层。

5.一种用于显示装置的阵列基板的像素单元，包括栅线、TFT以及与所述TFT的源漏极连接的源漏电极线，其特征在于：

所述源漏电极线为叠层结构，包括自下而上依次叠置的第一MoW层、Cu层和第二MoW层；

所述TFT的源漏极由所述第一MoW层形成。

6.如权利要求5所述的像素单元，其特征在于，所述源漏电极线包括数据线和VDD线中的至少一个。

7.如权利要求5所述的像素单元，其特征在于，所述TFT的有源层为氧化物。

8.一种制造像素单元的方法，用于制造如权利要求5所述的像素单元，其特征在于，包括如下步骤：

T1、在基板上依次形成栅极层、栅极阻挡层、有源层和刻蚀阻挡层，所述栅极层包括所述栅线和所述TFT的栅极；

T2、在源漏电极线的区域和所述TFT的源漏极的区域形成第一MoW层；

T3、在除了源漏电极线区域之外的区域涂覆光阻材料；

T4、在光阻材料区域和源漏电极线区域上依次形成Cu层和第二MoW层；

T5、利用剥离技术，连同形成于光阻材料上的的所述Cu层和第二MoW层一起除去光阻材料，暴露出位于TFT区域的第一MoW层；

T6、以步骤T5中暴露出的第一MoW层为所述TFT的源漏极制作所述TFT。

9.如权利要求8所述的制造像素单元的方法，其特征在于，所述源漏电极线包括数据线和VDD线中的至少一个。

10.如权利要求8所述的制造像素单元的方法，其特征在于，在所述步骤T1中，使用氧化物作为所述TFT的有源层。

11.一种阵列基板，包括权利要求1、2、5、6、7中任一项所述的像素单元。

12.一种显示装置，包括权利要求11所述的阵列基板。

13.一种制造阵列基板的方法，采用如权利要求3、4、8、9、10中任一项所述的制造像素单元的方法制造该阵列基板的像素单元。

14.一种制造显示装置的方法，采用权利要求13所述的制造阵列基板的方法制造该显示装置的阵列基板。