[发明专利]低缺陷化学机械抛光组合物

权利要求书

1.一种化学机械抛光组合物，其包含以下成分作为初始组分:

水，

0.1-40重量％的胶体二氧化硅磨料；

0.001-5重量％的如通式I所示的添加剂：

其中，R¹是C_1-8烷基；其中R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶各自独立地选自氢、卤素、羟基和C_1-8烷基；其中所述化学机械抛光组合物包含<0.00000000001重量％的包合物；以及，其中所述化学机械抛光组合物包含<0.00000000001重量％的氧化剂。

2.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述化学机械抛光组合物的pH值≥10。

3.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述化学机械抛光组合物具有的TEOS去除速率≥/分钟，该去除速率是在300毫米的抛光机上在以下操作条件下获得：台板转速93转/分钟，支架转速87转/分钟，化学机械抛光组合物的流速200毫升/分钟，施加20.68千帕的标称向下作用力；以及其中所述化学机械抛光垫是聚氨酯浸渍的非织造垫。

4.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述如通式I所示的添加剂符合通式Ia：

其中，R⁷是C_1-8烷基，以及其中R⁸选自氢、卤素、羟基和C_1-8烷基。

5.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述如通式I所示的添加剂符合通式Ib：

其中，R⁹是C_1-8烷基。

6.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述如通式I所示的添加剂符合通式Ic：

7.一种用来对基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括：

提供基材，其中所述基材包含氧化硅；

提供如权利要求1所述的化学机械抛光组合物；

提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；

将所述化学机械抛光组合物分配在所述化学机械抛光垫和所述基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫的抛光表面上；以及

以0.69至34.5kPa的向下作用力在所述化学机械抛光垫和基材之间的界面处形成动态接触；

其中所述基材被抛光；其中从所述基材上除去了一部分的氧化硅。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物具有的氧化硅去除速率为≥/分钟，以及其中所述化学机械抛光组合物促进了抛光后尺寸>0.16微米的SP1缺陷计数≤70。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物具有的氧化硅去除速率为≥/分钟，以及其中所述化学机械抛光组合物促进了抛光后尺寸>0.16微米的SP1划痕数≤25。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物具有的氧化硅去除速率为≥/分钟；其中所述化学机械抛光组合物促进了抛光后尺寸>0.16微米的SP1缺陷计数≤70；以及，其中所述化学机械抛光组合物促进了抛光后尺寸>0.16微米的SP1划痕数≤25。