[发明专利]非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种非晶体硅膜的形成方法，其特征在于，

在处理室内连续进行下述工序：

将基板收容在上述处理室内的工序；

对上述处理室内的上述基板进行加热的工序；

对上述处理室内进行排气来调整压力的工序；

在上述氨基硅烷系气体不热分解的条件下，向上述处理室内供给氨基硅烷系气体，氨基硅烷系气体被吸附而在上述基板上形成晶种层的工序；

在不含氨基的硅烷系气体热分解的条件下，向上述处理室内供给不含氨基的硅烷系气体而在上述晶种层上形成非晶体硅膜的工序；以及

形成上述晶种层的工序和形成上述非晶体硅膜的工序。

2.根据权利要求1所述的非晶体硅膜的形成方法，其特征在于，

上述氨基硅烷系气体不热分解的温度，是比450℃低的温度。

3.根据权利要求1或2所述的非晶体硅膜的形成方法，其特征在于，

上述氨基硅烷系气体是从包括丁基氨基硅烷、双叔丁基氨基硅烷、(二甲氨基)硅烷、二(二甲氨基)硅烷、三(二甲氨基)硅烷、二乙基氨基硅烷、双二乙基氨基硅烷、二丙基氨基硅烷以及二异丙基氨基硅烷中至少一种的气体选择的，

上述不含氨基的硅烷系气体是从包括SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀、Si₅H₁₂、Si₆H₁₄、Si₇H₁₆、Si₃H₆、Si₄H₈、Si₅H₁₀、Si₆H₁₂、Si₇H₁₄中的至少任一种选择的。

4.根据权利要求3所述的非晶体硅膜的形成方法，其特征在于，

上述氨基硅烷系气体为二异丙基氨基硅烷，

上述不含氨基的硅烷系气体是从SiH₄和Si₂H₆中任一种的气体选择的。

5.根据权利要求1或2所述的非晶体硅膜的形成方法，其特征在于，

上述晶种层的厚度是单原子层级的厚度。

6.根据权利要求5所述的非晶体硅膜的形成方法，其特征在于，

上述晶种层的厚度为0.1nm～0.3nm。

7.根据权利要求1或2所述的非晶体硅膜的形成方法，其特征在于，

在上述基板的表面上形成有氧化硅膜或氮化硅膜。

8.一种非晶体硅膜的成膜装置，其特征在于，

具有:

处理室，其用于收容基板并进行处理；

加热装置，其用于对收容在上述处理室的上述基板进行加热；

氨基硅烷系气体供给机构，其用于向上述处理室内供给氨基硅烷系气体；

不含氨基的硅烷系气体供给机构，其用于向上述处理室内供给不含氨基的硅烷系气；

排气机构，其用于对上述处理室内进行排气；以及

控制器，其用于控制上述加热装置、上述氨基硅烷系气体供给机构、不含氨基的硅烷系气体供给机构以及上述排气机构，

上述控制器控制上述加热装置、上述氨基硅烷系气体供给机构、上述不含氨基的硅烷系气体供给机构、以及排气机构，以在相同的上述处理室内连续地实施下述工序：

将上述基板加热至上述氨基硅烷系气体不热分解的温度，向上述处理室内供给上述氨基硅烷系气体，从而使上述氨基硅烷系气体吸附而形成晶种层的工序；

通过向上述处理室内供给不含有上述氨基的硅烷系气体，从而使上述不含氨基的硅烷系气体热分解，形成非晶体硅膜的工序；

形成上述晶种层的工序；以及其后形成上述非晶体硅层的工序。

9.根据权利要求8所述的非晶体硅膜的成膜装置，其特征在于，

上述氨基硅烷系气体不热分解的温度，是比450℃低的温度。