[发明专利]半导体结构及其形成方法、半导体结构的处理方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面；

在所述晶圆的第一表面形成器件薄膜；

从所述晶圆的第二表面对晶圆进行减薄，减薄后的晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿长度方向的对称轴为晶圆的直径，且第一区域的长度为晶圆的直径长度，所述第二区域位于第一区域两侧；

在减薄后的晶圆的第二表面上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层覆盖第一区域，并暴露出部分第二区域的表面；

以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述晶圆，在所述第二区域内形成若干凹槽，所述凹槽底部暴露出部分器件薄膜。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域的宽度为3mm～5mm。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，减薄后晶圆的厚度为300μm～400μm。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件薄膜为单层结构或多层堆叠结构。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件薄膜为微机电薄膜，所述微机电薄膜内具有微机电器件。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述微机电器件为麦克风、压力传感器或震动传感器。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶圆上具有对准标记，所述第一区域的长度方向的对称轴为所述对准标记与晶圆圆心所在的直径。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用深反应离子刻蚀工艺形成所述凹槽。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的间距为80μm～200μm。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

减薄后晶圆，所述减薄后晶圆具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，且所述减薄后晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿长度方向的对称轴为减薄后晶圆的直径，且第一区域的长度为减薄后晶圆的直径长度，所述第二区域位于第一区域两侧；

位于所述减薄后晶圆的第一表面上的器件薄膜；

位于减薄后晶圆的第二表面一侧的第二区域内的若干凹槽，所述凹槽暴露出部分器件薄膜的表面。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域的宽度为3mm～5mm。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，减薄后晶圆的厚度为300μm～400μm。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述器件薄膜为单层结构或多层堆叠结构。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述器件薄膜为微机电薄膜，所述微机电薄膜内具有微机电器件。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述微机电器件为麦克风、压力传感器或震动传感器。

16.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述减薄后晶圆上具有对准标记，所述第一区域的长度方向的对称轴为所述对准标记与晶圆圆心所在的直径。

17.一种半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：

提供若干如权利要求10至16中任一项所述的半导体结构；

提供湿法处理槽，所述湿法处理槽内具有湿法处理溶液；

提供晶圆引导架，所述晶圆引导架上具有若干平行排列的引导槽；

将所述若干半导体结构分别至于所述晶圆引导架的引导槽内，使晶圆表面与晶圆引导架垂直；

将所述晶圆引导架连同半导体结构浸没于所述湿法处理槽内的湿法处理溶液内，进行湿法处理。

18.根据权利要求17所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述晶圆引导架的引导槽宽度大于所述半导体结构垂直于晶圆表面方向的厚度。

19.根据权利要求17所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述半导体结构的减薄后晶圆的第一区域的长度方向与所述晶圆引导架垂直。

20.根据权利要求17所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述湿法处理槽内的湿法处理溶液处于流动状态。