[发明专利]单晶金刚石的制造方法

权利要求书

1.一种单晶金刚石的制造方法，其为将通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板置于基台上而追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

(1)测量追加堆积上述气相合成单晶金刚石之前的所述单晶金刚石晶种基板的平坦度的工序；

(2)基于所述平坦度的测量结果，判定是否进行所述单晶金刚石晶种基板的平坦化的工序；

(3)以下2个工序中之一：

(3a)基于所述判定，对于需要所述平坦化的所述单晶金刚石晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积所述气相合成单晶金刚石的工序，

(3b)基于所述判定，对于不需要所述平坦化的所述单晶金刚石晶种基板，不进行平坦化而追加堆积所述气相合成单晶金刚石的工序。

2.如权利要求1所述的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，在所述(3a)工序中，根据所述单晶金刚石晶种基板的平坦度，通过在低功率条件下在所述单晶金刚石晶种基板的表面或背面形成堆积了气相合成单晶金刚石的平坦化层来进行所述单晶金刚石晶种基板的平坦化。

3.如权利要求1或权利要求2所述的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，在所述工序(3a)中，根据所述单晶金刚石晶种基板的平坦度，将所述单晶金刚石晶种基板置于所述基台，从形成在所述基台上的吸着孔进行减压，利用腔室内气体压力与基台吸着孔内气体压力的压力差，使所述单晶金刚石晶种基板吸着于所述基台，从而进行所述单晶金刚石晶种基板的平坦化。

4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，在所述工序(2)的判定中，将所述测量的平坦度大于20μm的单晶金刚石晶种基板作为需要所述平坦化的所述单晶金刚石晶种基板，将所述测量的平坦度为20μm以下的单晶金刚石晶种基板作为不需要所述平坦化的所述单晶金刚石晶种基板。