[发明专利]太阳能发电支架液体镀层及测量一体装置在审
申请号: | 201410481877.7 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN104241159A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 薛黎明;刘伯昂 | 申请(专利权)人: | 中海阳能源集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 尹振启 |
地址: | 102200 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 发电 支架 液体 镀层 测量 一体 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种既能够对太阳能发电支架进行液体镀层,又能够对镀层进行测量的一体化装置。
背景技术
目前,太阳能发电正随着能源需求和节能减排要求的增长而迅速发展,尤其是在光资源丰富的地区集中建设大规模发电站的速度正在不断提升,大规模电站相继建起。在此过程中反映出了一些有关问题,如光伏发电站设计安装时,通常是在电池板组件确定后再根据安装地的地质条件考虑设计太阳能发电支架的具体形式,所以在现有技术中支架的可变性较大而不易于预制。由此,支架的生产及测试过程及其工艺就显得十分重要,这些过程、工艺中包括:测量、焊接、清洗、镀防护层等,如何在保证质量的同时缩短制作加工过程及工艺的周期,对于支架的产能有着直接的影响。
综上所述,缩短周期成为了解决问题的要点,缩短一整套包含不同工序流程的周期有两种办法,一是缩短单道工序的完成周期,其次是合并不同工序流程,由于这后一种方法的综合效率更高,因此合并不同工序流程的做法与思路就顺理成章地被放在优先考虑的位置。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种能够实现太阳能发电支架液体镀层工艺的装置,同时利用液体镀液对声、光等物理波的传输特性对结构件进行定位测量,将镀层和测量工序集成于空间一体。
为实现上述目的,本发明的太阳能发电支架液体镀层及测量一体装置,包括镀液池、第一轴电机、第一伸缩杆、第二轴电机、第二伸缩杆、第三轴电机和超声收发器;其中,所述第一轴电机固定于所述镀液池顶部,第一轴电机的转动部上沿其转轴方向设置有所述第一伸缩杆,第一伸缩杆伸缩端固定有所述第二轴电机,第二轴电机的转动部上垂直其转轴方向设置有所述第二伸缩杆,第二伸缩杆伸缩端设置有所述第三轴电机,第三轴电机的转动部上安装有所述超声收发器,以镀液为介质根据所述超声收发器接收的反射波对支架进行测量。
进一步,所述第一伸缩杆、所述第二伸缩杆与所述第一轴电机、所述第二轴电机、所述第三轴电机采用多部间隔设置,将检测位置的调节形式设置为平动和转动间隔进行。
进一步,所述超声收发器还能够是电磁波收发器或声波收发器;用以测量所述支架的镀层厚度和孔径。
进一步,所述镀件上还设置有用以便于检测所述支架的测量标记。
进一步,所述超声收发器根据所述支架及其镀层的不同介质常数、以及超声反射加强及相消特性来设置发射波段,从而控制满足上述条件的支架局部镀层厚度。
进一步,所述超声收发器设置为单台大功率与多台点阵小功率同步发射混合使用, 工作波段连续可调。
进一步,所述第一轴电机、所述二轴电机和所述三轴电机设置为受控转动步进电机。
本发明根据包括声波、电磁波在内的物理波测量原理,利用表面镀的镀液作为波的传播媒介,将液体层镀这一物理化学工艺过程与物理波测量过程相结合,将结构件的测量和层镀在空间上集成一体,在对支架镀层的同时对支架进行实时测量,使原本独立的两个过程合二而一,以达到节约时间和及时测量发现缺陷的目的,同时能够对表面镀层工艺进行精确控制,完善工艺参数。
附图说明
图1为本发明太阳能发电支架液体镀层及测量一体装置的结构示意图;
图2为本发明太阳能发电支架液体镀层及测量一体装置的工作状态示意图。
具体实施方式
下面,参考附图,对本发明进行更全面的说明,附图中示出了本发明的示例性实施例。然而,本发明可以体现为多种不同形式,并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是,提供这些实施例,从而使本发明全面和完整,并将本发明的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
为了易于说明,在这里可以使用诸如“上”、“下”“左”“右”等空间相对术语,用于说明图中示出的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。应该理解的是,除了图中示出的方位之外,空间术语意在于包括装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果图中的装置被倒置,被叙述为位于其他元件或特征“下”的元件将定位在其他元件或特征“上”。因此,示例性术语“下”可以包含上和下方位两者。装置可以以其他方式定位(旋转90度或位于其他方位),这里所用的空间相对说明可相应地解释。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造