[发明专利]具有隔离漏极的金氧半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种具有隔离漏极的金氧半导体装置及其制造方法。该具有隔离漏极的金氧半导体装置包括：具有第一导电类型的半导体基板；具有第二导电类型的第一阱区，埋设于半导体基板的第一部分内；具有第一导电类型的第二阱区，设置于半导体基板的第二部分内，覆盖于第一阱区上；具有第二导电类型的第三阱区，设置于半导体基板的第三部分内，覆盖于第一阱区上；具有第一导电类型的第四阱区，设置于位于第一阱区与第三阱区之间的半导体基板的第四部分内；栅极堆叠，设置于半导体基板上；源极区，设置于第二阱区内；以及漏极区，设置于第三阱区内。本发明所提供的具有隔离漏极的金氧半导体装置及其制造方法，可避免不期望的基板注入电流。

技术领域

本发明是有关于半导体装置，特别是有关于一种具有隔离漏极(isolated drain)的金氧半导体装置(MOS device)及其制造方法。

背景技术

如笔记型个人计算机、个人数字助理、及无线通信装置等电池供电(battery-operated)的电子系统通常使用功率金氧半导体装置(Power MOS device)作为分配电池电量(battery power)的低导通电阻(low on-resistance)电子开关。对于电池供电的应用而言，低导通电阻为特别重要的，能够确保电池的电量消耗(power consumption)越少越好。这将确保较长的电池寿命(battery life)。

图1为适用于电子系统的电源管理(power management)的一种现有的降压型转换器(buck converter)的电路示意图。其中，该降压型转换器的电源电压为电源电压Vdd，该降压型转换器的输出电压为输出电压Vout。在操作时，当高边(high side)的金氧半导体装置12与低边(low-side)的金氧半导体装置10都为关闭(turn-off)时，为了保持电感(inductor)14内的电流持续，将会开启位于低边的金氧半导体装置10内本体二极管(bodydiode)与基板二极管(substrate diode)(图未显示)以维持此电流。然而，基于低边的金氧半导体装置10内的基板二极管开启情形，会发生不期望的基板注入电流(substratecurrent injections)的情况，使得会造成闭锁(latch-up)或其他电性故障情形的噪声(noise)可能因此影响了电子系统的控制电路20。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种具有隔离漏极的金氧半导体装置及其制造方法。

根据本发明第一实施方式，提供一种具有隔离漏极的金氧半导体装置，包括：半导体基板，具有第一导电类型；第一阱区，埋设于该半导体基板的第一部分内，具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；第二阱区，设置于该半导体基板的第二部分内，覆盖于该第一阱区之上且具有该第一导电类型；第三阱区，设置于该半导体基板的第三部分内，覆盖于该第一阱区之上且邻近于该第二阱区，具有该第二导电类型；第四阱区，设置于该半导体基板的位于该第一阱区与该第三阱区之间的第四部分内，具有该第一导电类型；栅极堆叠，设置于该半导体基板上，覆盖该第二阱区与该第三阱区的一部分；源极区，设置于该第二阱区的一部分内，具有该第二导电类型；以及漏极区，设置于该第三阱区的一部分内，具有该第二导电类型。