[发明专利]TFT阵列基板、TFT阵列基板的制作方法及显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，其包括：

栅极金属层，形成于基板上；

栅极绝缘层，形成于所述栅极金属层上；

半导体层，形成于所述栅极绝缘层上；

源/漏极金属层，包括源极金属层和漏极金属层；

像素电极，与所述漏极金属层直接接触；

钝化层，形成于所述源/漏极金属层及所述像素电极上；

平坦层，形成于所述钝化层上；及

公共电极，形成于所述平坦层上；

其中，所述公共电极未完全覆盖所述像素电极，所述公共电极包括覆盖所述像素电极边缘的外框及连接所述外框的相对两边的横梁；

所述平坦层包括环绕部及间隔部，所述平坦层的环绕部环绕所述像素电极的边缘设置，且位于所述源/漏极金属层的上方，所述平坦层的间隔部位于所述像素电极的上方，且位于所述公共电极的横梁的下方。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极为矩形结构，所述公共电极外框为矩形框，且所述公共电极的横梁为长条状。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极形成于所述半导体层上，所述源/漏极金属层形成于所述像素电极上。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述公共电极还包括环绕部，所述公共电极的环绕部覆盖在所述平坦层的环绕部的上方。

5.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-4任一项所述TFT阵列基板。

6.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，其包括：

在基板上形成栅极金属层；

在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

形成包括源极金属层和漏极金属层的源/漏极金属层及像素电极，且使所述像素电极与所述漏极金属层直接接触；

在所述源/漏极金属层及所述像素电极上形成钝化层；

在所述钝化层上形成平坦层；及

在所述平坦层上形成公共电极；

其中，所述公共电极未完全覆盖所述像素电极，所述公共电极包括覆盖所述像素电极边缘的外框及连接所述外框的相对两边的横梁；

所述平坦层包括环绕部及间隔部，所述平坦层的环绕部环绕所述像素电极的边缘设置，且位于所述源/漏极金属层的上方，所述平坦层的间隔部位于所述像素电极的上方，且位于所述公共电极的横梁的下方。

7.如权利要求6所示的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成包括源极金属层和漏极金属层的源/漏极金属层及像素电极，且使所述像素电极与所述漏极金属层直接接触的步骤包括：

在所述半导体层上形成像素电极；及

形成所述源/漏极金属层。

8.如权利要求6所示的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体层为铟镓锌氧化物。

9.如权利要求8所示的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，TFT阵列基板的制作方法还包括在所述半导体层上形成蚀刻阻止层。