[发明专利]一种CMOS图像像素阵列在审
申请号: | 201410482221.7 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN104241308A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 陈嘉胤 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/3745 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像 像素 阵列 | ||
1.一种CMOS图像像素阵列,包括滤镜层、金属层、感光层,其特征在于,所述像素阵列自上而下依次包括第一滤镜层、金属层、第二滤镜层、感光层,所述第一滤镜层由微透镜排列构成,所述第二滤镜层由颜色滤镜排列构成;所述金属层的光通道中设有光纤,每个所述光纤上端耦合至一所述微透镜,其下端同时耦合至n×n个所述颜色滤镜,每个所述颜色滤镜耦合至一个所述感光层的感光二极管,所述颜色滤镜的个数n为不小于2的偶数;其中,从每个所述微透镜上方进入的入射光,经过所述光纤的汇聚,可同时被n×n个所述颜色滤镜所还原,并传导至其对应的所述感光二极管。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像像素阵列,其特征在于,所述微透镜和所述光纤的中心对准,并与n×n个所述颜色滤镜及其下方对应的所述感光二极管构成的像素区域的几何中心对准。
3.根据权利要求1或2所述的CMOS图像像素阵列,其特征在于,n×n个所述颜色滤镜按照Bayer模式排列构成重复的颜色滤镜阵列。
4.根据权利要求1或2所述的CMOS图像像素阵列,其特征在于,所述微透镜为圆形,所述光纤为圆管形可见光传导光纤,所述光纤的内径小于所述微透镜的外径。
5.根据权利要求4所述的CMOS图像像素阵列,其特征在于,所述光纤的内径为10~100微米。
6.根据权利要求1或2所述的CMOS图像像素阵列,其特征在于,所述微透镜为圆形,所述颜色滤镜为正方形,n×n个所述颜色滤镜所构成的正方形边长不大于所述微透镜的外径。
7.根据权利要求1或2所述的CMOS图像像素阵列,其特征在于,所述光纤为圆管形可见光传导光纤,所述颜色滤镜为正方形,n×n个所述颜色滤镜所构成的正方形边长不大于所述光纤的内径。
8.根据权利要求1所述的CMOS图像像素阵列,其特征在于,所述微透镜为圆形,所述金属层的光通道为正方形,所述微透镜的外径不大于所述光通道的边长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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