[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子体显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳电池用基板等(以下仅称为“基板”)的表面周缘部实施处理的技术。

背景技术

在基板中，几乎不会将器件图案(电路图案)最大限度地形成至基板的端面，大多是将器件图案形成在基板的距端面一定宽度的内侧的表面区域。

但是，在用于形成器件图案的成膜工序中，有时将膜形成至形成器件图案的区域(以下仅称为“器件区域”)的外侧。在器件区域的外侧形成的膜不仅没有必要，而且可能成为各种故障的原因。例如，在器件区域的外侧形成的膜有可能在处理工序的途中被剥落，引起成品率的下降、基板处理装置的故障等。

因此，有时进行通过蚀刻来除去在器件区域的外侧形成的薄膜的处理(所谓斜面蚀刻处理)，并提出了进行这种处理的装置(例如参照专利文献1～6等)。

专利文献1：日本特开2008-300454号公报

专利文献2：日本特开2011-066194号公报

专利文献3：日本特开2009-070946号公报

专利文献4：日本特开2006-210580号公报

专利文献5：日本特开2001-070861号公报

专利文献6：日本特开2003-264168号公报

在利用处理液对器件区域的外侧的表面周缘部进行处理的情况下，供给至表面周缘部的处理液有可能进入器件区域(具体地说，例如处理液从表面周缘部飞溅并进入器件区域)。当处理液进入器件区域时，有可能使器件图案产生不良而导致成品率的下降。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种在对基板的表面周缘部实施处理时能够抑制在表面周缘部的处理中使用的处理液进入器件区域的技术。

第一方式是一种基板处理装置，

具有：

基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；

周缘部用喷出头，其向被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部喷出流体；

所述周缘部用喷出头具有：

多个喷嘴，

支撑部，其一体支撑多个所述喷嘴；

多个所述喷嘴包括：

处理液喷嘴，其向所述表面周缘部喷出处理液，

气体喷嘴，其向所述表面周缘部喷出气体；

所述气体喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。

第二方式是如第一方式所述的基板处理装置，从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，

所述气体喷嘴的目标喷出位置比所述处理液喷嘴的目标喷出位置更靠基板的中心侧。

第三方式是如第一或第二方式所述的基板处理装置，所述周缘部用喷出头具有多个所述处理液喷嘴，

多个所述处理液喷嘴包括：

药液喷嘴，喷出药液，

冲洗液喷嘴，喷出冲洗液。

第四方式是如第三方式所述的基板处理装置，从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，

所述冲洗液喷嘴的目标喷出位置比所述药液喷嘴的目标喷出位置更靠基板的中心侧。

第五方式是如第三或第四方式所述的基板处理装置，所述周缘部用喷出头具有多个所述药液喷嘴，

多个所述药液喷嘴包括：

第一药液喷嘴，喷出酸性药液，

第二药液喷嘴，喷出碱性药液；

在所述第一药液喷嘴和所述第二药液喷嘴之间配置有所述冲洗液喷嘴。

第六方式是如第五方式所述的基板处理装置，从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，

从基板的端面至所述第一药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离和从基板的端面至所述第二药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离相等。

第七方式是如第一至第六方式中任一方式所述的基板处理装置，多个所述喷嘴包括向所述表面周缘部喷出蒸汽的蒸汽喷嘴。

第八方式是如第七方式所述的基板处理装置，所述蒸汽喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。

第九方式是如第七或第八方式所述的基板处理装置，所述处理液喷嘴包括喷出药液的药液喷嘴，

从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，