[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201410482761.5 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN104992912B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 藤原友则;柴山宣之;吉田幸史;柴田哲弥;仲野彰义 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持部,其将基板保持为水平姿势,并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转;
挡板构件,其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状,并配置在与被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置;
杯,其为上端开放的筒形状构件,同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的基板;
喷嘴,隔着所述挡板构件的至少一部分而相对于所述杯配置在所述挡板构件的内周壁侧,向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液,
在处理位置,所述挡板构件的下表面配置在比所述杯的上端缘部的下表面低的位置,所述挡板构件的所述内周壁比所述基板的端面更靠内侧。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述挡板构件的下表面的至少一部分与所述表面周缘部相向配置。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述挡板构件的下表面配置在与所述喷嘴中的所述处理液的喷出面相同的高度位置或比所述喷出面低的位置。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述挡板构件是沿着所述基板的表面周缘部的整周形成的环状构件。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述挡板构件具有用于容纳所述喷嘴的至少一部分的切口。
6.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持部,其将基板保持为水平姿势,并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转;
挡板构件,其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状,并配置在与被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置;
杯,其为上端开放的筒形状构件,同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的基板;
喷嘴,隔着所述挡板构件的至少一部分配置在与所述杯的一侧相反的一侧,向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液,
在处理位置,所述挡板构件的下表面配置在比所述杯的上端缘部的下表面低的位置,
所述挡板构件具有:
主体部,
檐部,其从所述主体部的外周壁突出;
所述主体部的外周壁与所述杯的上端缘部以非接触状态接近,并沿着所述上端缘部的至少一部分延伸,
所述主体部的外周壁和所述杯的上端缘部之间的间隙被所述檐部覆盖。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述挡板构件具有用于容纳所述喷嘴的至少一部分的切口。
8.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持部,其将基板保持为水平姿势,并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转;
挡板构件,其呈沿着所述基板的表面周缘部的至少一部分形成的形状,并配置在与被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部以非接触状态接近的位置;
杯,其为上端开放的筒形状构件,同时包围所述挡板构件和被所述基板保持部保持的基板;
喷嘴,隔着所述挡板构件的至少一部分而相对于所述杯配置在所述挡板构件的内周壁侧,向被所述基板保持部保持的所述基板的表面周缘部喷出处理液,
所述挡板构件具有用于容纳所述喷嘴的至少一部分的切口,
在处理位置,所述挡板构件的所述内周壁比所述基板的端面更靠内侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造