[发明专利]掺杂钇铝石榴石激光晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法有效

专利信息
申请号: 201410483601.2 申请日: 2014-09-19
公开(公告)号: CN104313693B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 李兴旺;莫小刚;张月娟;李洪峰;杨国利;王永国;夏士兴 申请(专利权)人: 北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;C30B15/00;C30B15/10;C30B15/14
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 代理人: 刘映东
地址: 100015 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 石榴石 激光 晶体 生长 装置 晶体生长 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及激光晶体制备领域,特别涉及掺杂钇铝石榴石晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法。

背景技术

掺杂钇铝石榴石系列激光晶体,尤其是掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光晶体是一种使用广泛的固体激光工作介质材料,已广泛应用于激光切割、激光焊接、激光打标、激光表面熔覆、激光增材制造、激光医疗、激光美容、激光测距、激光制导等军、民用固体激光器及相应的激光设备等领域。随着固体激光技术及其应用的快速发展,对Nd:YAG晶体光学均匀性的要求越来越高,而对其制造成本的要求越来越低。

目前,通过采用以下4种方法,即电阻加热提拉法、感应加热密闭惰性保护气氛提拉法、感应加热流动气体提拉法和温梯法来制备Nd:YAG晶体。对上述4种方法的具体描述如下:

1)电阻加热提拉法

以高纯氧化物(Al2O3、Y2O3和Nd2O3)为原料,用铱坩埚或钼坩埚盛装原料,采用钨片、钼皮及石墨作保温材料,在提拉单晶炉炉膛内充入高纯Ar气或者N2气作为保护气体,以石墨、钨或者钼为发热体,采用电阻加热的方式将原料熔化为熔体,然后经升温熔料、下籽晶、放肩、等径、收尾、降温、取晶等过程,生长出Nd:YAG晶体。

电阻加热提拉法生长Nd:YAG晶体,具有温度梯度小,可生长较高掺杂浓度的激光晶体等优点,但也正由于这种辐射加热方式,使得熔体内径向温度梯度较小,无法使用大尺寸坩埚,因此能够生长的晶体尺寸很小,一般坩埚直径不超过100mm,生长的晶体直径不超过40mm,而且由于熔体内径向温度梯度较小,固液界面形状较为平坦,容易受外界条件变化影响而发生波动,生长出的晶体光学均匀性较差,损耗系数较大。因此,电阻加热提拉法近年来已被逐步淘汰。

2)温提法

温提法主要是通过改变保温和发热体,构造出一个合适的空间温度分布场,然后将氧化物原料装入难熔金属坩埚中,将坩埚置于温度场中,原料熔化后,通过缓慢的降温,使坩埚内的熔体发生定向凝固结晶,得到Nd:YAG晶体。该法虽然可以生长出大尺寸晶体,但由于生长晶体与坩埚壁接触,容易自发成核,生长出的晶体晶格完整性较差,晶体内部残留应力大。而且没有晶体的强制搅拌作用,自然分凝现象严重,造成晶体内部掺杂离子浓度梯度过大,生长出的Nd:YAG晶体光学性能差,难以作为高功率激光的工作介质材料。

为了生长大尺寸的,光学均匀性高的Nd:YAG晶体,目前常采用以下方法制备Nd:YAG晶体。

3)感应加热密闭惰性保护气氛提拉法

感应加热提拉法采用贵金属铱材质坩埚,采用射频电磁感应加热方式,铱坩埚本身即为发热体。生长晶体时,以高纯氧化物(Al2O3、Y2O3和Nd2O3)为原料,采用ZrO2及Al2O3作为保温材料,在密闭的提拉单晶炉炉膛内充入高纯Ar气或者N2气作为保护气体,原料经过熔化为熔体后,经下籽晶、放肩、等径、收尾、降温、取晶等过程,生长出Nd:YAG晶体。

在该方法中,由于坩埚本身即为发热体,坩埚内熔体的径向温度梯度较大,且容易控制,适合生长大尺寸、高光学均匀性Nd:YAG晶体,这种方法生长的Nd:YAG晶体直径达到了100mm,是目前国内、外主要的Nd:YAG晶体生产技术。然而,由于该法采用了贵金属铱坩埚,生长周期长,生长一支Φ60mm×160mm的晶坯,通常需要30天左右的时间,生长一支Φ80mm×200mm的晶坯,周期大概在45天左右。而且保温材料重复利用率低,因此,生产成本极为高昂。同时,在保温材料侧壁开有观察窗口,保温内部空间的温度分布对称性较差,固液界面存在周期性波动,对生长晶体的光学质量造成了不良影响。

4)感应加热流动气体提拉法

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