[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括微机电区域，所述微机电区域上具有器件，所述器件包括微机电器件及电感；

提供盖板，在所述盖板上形成凹槽；

在所述凹槽底部表面形成分散的凸起部；

在所述凹槽内壁表面以及盖板表面形成吸附层，所述吸附层覆盖所述凸起部；

去除盖板表面以及凹槽部分内壁表面的吸附层；

将所述盖板与半导体衬底进行键合，所述盖板凹槽与半导体衬底构成密闭空腔，且所述半导体衬底的微机电区域上的器件位于所述密闭空腔内，剩余的吸附层位于微机电器件正上方的凹槽底部表面及靠近微机电器件一侧的凹槽侧壁表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述吸附层的材料为Ti。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述吸附层的厚度为

4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用蒸镀工艺形成所述吸附层，所述蒸镀工艺包括：将Ti金属加热至融化状态，使得Ti原子蒸发，然后Ti原子在盖板及凹槽内壁表面沉积，形成吸附层，上述蒸镀工艺在压强为10^-5Torr～10^-7Torr的环境下进行。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凸起部的高度为

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，相邻凸起部之间的间距大于

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖板材料为硅，所述凸起部的材料为多晶硅，形成所述凸起部的方法包括：在所述盖板表面形成无定形硅层之后，在所述无定形硅层表面形成岛状分布的种子层；然后进行退火处理，使得种子层两侧的无定形硅层在退火过程中发生迁移，向种子层聚集，形成分散的凸起部，所述退火温度大于550℃。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括在凹槽的侧壁表面形成凸起部。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述微机电区域上的器件还包括集成电路单元。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述吸附层还位于集成电路单元正上方的凹槽底部表面。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在将所述盖板与半导体衬底进行键合之前，对盖板进行清洗。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括微机电区域，所述微机电区域上具有器件，所述器件包括：微机电器件及电感；

盖板，所述盖板上具有凹槽，所述凹槽的尺寸与半导体衬底的微机电区域对应，所述凹槽底部表面具有分散的凸起部；

所述盖板上的凹槽与半导体衬底构成密闭空腔，且所述半导体衬底的微机电区域上的器件位于所述密闭空腔内；

位于微机电器件正上方的凹槽底部的部分表面及靠近微机电器件一侧的凹槽侧壁表面的吸附层，所述吸附层覆盖部分凸起部。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述吸附层的材料为Ti。

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述吸附层的厚度为

15.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部的高度为

16.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述盖板材料为硅，所述凸起部的材料为多晶硅。

17.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，相邻凸起部之间的间距大于

18.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于凹槽侧壁表面的凸起部。

19.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述微机电区域上的器件还包括集成电路单元。

20.根据权利要求19所述的半导体结构，其特征在于，所述吸附层还位于集成电路单元正上方的凹槽底部表面。