[发明专利]层压体、成像元件封装件、成像装置和电子装置有效
申请号: | 201410484116.7 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN104516032B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 田泽洋志;林部和弥 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;G02B1/11 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层压 成像 元件 封装 装置 电子 | ||
1.一种层压体,包括:
基板;以及
结构层,设置在所述基板上并具有抗反射功能,
其中,所述结构层包括:
多个结构体,以及
中间层,设置在多个所述结构体与所述基板之间,并且
其中,所述中间层满足下面的关系式(1):
(2π/λ)·n(λ)·|d-d0|<π (1)
其中,λ表示为了减少反射的目的的光的波长,n(λ)表示当所述波长为λ时的所述中间层的折射率,d0表示所述中间层在中心点处的厚度,并且d表示所述中间层在任意点处的厚度;其中,所述中间层被定义为在所述基板的表面和所述多个结构体中的相邻结构体之间的谷部最深位置之间,并且,其中,在所述基板的表面和所述谷部的最深位置之间,所述中间层的厚度在所述基板的表面方向上变化。
2.根据权利要求1所述的层压体,其中,为了减少反射的目的,所述结构层自身相对于光的最大反射率值为0.21%或以下,并且
为了减少反射的目的,所述基板和所述结构层的所述层压体相对于所述光的最大反射率值为1.00%或以下。
3.根据权利要求1所述的层压体,其中,所述结构体的底部表面的直径Dbottom和所述结构体的间距P满足1.2>Dbottom/P>1的关系,并且
所述结构体的顶部的直径Dtop和所述结构体的底部表面的直径Dbottom满足Dtop/Dbottom≤1/10的关系。
4.根据权利要求1所述的层压体,其中,所述光的波长范围为350nm到850nm。
5.根据权利要求1所述的层压体,其中,所述基板的折射率n0与所述结构层的折射率n1之间的折射率差Δn=|n1-n0|为0.3或以下。
6.根据权利要求1所述的层压体,其中,由相同的材料配置多个所述结构体和所述中间层。
7.根据权利要求1所述的层压体,其中,所述结构体相对于所述中间层的表面具有凹形或凸形形状。
8.根据权利要求1所述的层压体,其中,所述结构体具有平行于所述基板的表面的平坦的顶部。
9.一种成像装置,包括根据权利要求1至8中任一项所述的层压体。
10.一种电子装置,包括根据权利要求1至8中任一项所述的层压体。
11.一种层压体,包括:
基板;以及
结构层,设置在所述基板上并具有抗反射功能,
其中,所述结构层包括:
多个结构体,以及
中间层,设置在多个所述结构体与所述基板之间,并且
其中,所述中间层在任意部分中均满足下面的关系式(2):
(2π/λ)·n(λ)·|D-D0|<π (2)
其中,λ表示为了减少反射的目的的光的波长,n(λ)表示当所述波长为λ时的所述中间层的折射率,D0表示所述中间层在所述部分的中心点处的厚度,并且D表示所述中间层在所述部分的任意点处的厚度;
其中,所述中间层被定义为在所述基板的表面和所述多个结构体中的相邻结构体之间的谷部最深位置之间,并且,其中,在所述基板的表面和所述谷部的最深位置之间,所述中间层的厚度在所述基板的表面方向上变化。
12.一种成像元件封装件,包括:
成像元件;以及
封装件,所述封装件包括光透射单元并容纳所述成像元件,
其中,所述光透射单元包括:
基板,以及
结构层,设置在所述基板上并具有抗反射功能,
其中,所述结构层包括:
多个结构体,以及
中间层,设置在多个所述结构体与所述基板之间,并且
其中,所述中间层满足下面的关系式(1):
(2π/λ)·n(λ)·|d-d0|<π (1)
其中,λ表示减少反射的目的的光的波长,n(λ)表示当所述波长为λ时的所述中间层的折射率,d0表示所述中间层在中心点处的厚度,并且d表示所述中间层在任意点处的厚度,即所述中间层在以所述中心点为中心的预定范围内的任意点处的厚度;其中,所述中间层被定义为在所述基板的表面和所述多个结构体中的相邻结构体之间的谷部最深位置之间,并且,其中,在所述基板的表面和所述谷部的最深位置之间,所述中间层的厚度在所述基板的表面方向上变化。
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