[发明专利]一种分子筛、其制造方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201410484573.6 申请日: 2014-09-22
公开(公告)号: CN104511271B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 杨为民;王振东;孙洪敏;张斌;宦明耀;沈震浩;薛明伟 申请(专利权)人: 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
主分类号: B01J20/18 分类号: B01J20/18;B01J20/30;B01J29/06;B01J35/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 孙秀武,杨思捷
地址: 100728 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 分子筛 制造 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种分子筛,其特征在于,具有如式“第一氧化物·第二氧化物”所示的示意性化学组成,其中所述第一氧化物与所述第二氧化物的摩尔比为20-2000,所述第一氧化物选自二氧化硅和二氧化锗中的至少一种,所述第二氧化物选自氧化铝、氧化硼、氧化铁、氧化镓、氧化钛、稀土氧化物、氧化铟和氧化钒中的至少一种,并且所述分子筛具有基本上如下表所示的X射线衍射图案,

2.权利要求1所述的分子筛,其中,所述X射线衍射图案还包括基本上如下表所示的X射线衍射峰,

3.一种分子筛,其特征在于,具有如式“第一氧化物·第二氧化物”或式“第一氧化物·第二氧化物·有机模板剂·水”所示的示意性化学组成,其中所述第一氧化物与所述第二氧化物的摩尔比为20-2000,所述有机模板剂与所述第一氧化物的质量比为0.03-0.38,水与所述第一氧化物的质量比为0-0.15,所述第一氧化物选自二氧化硅和二氧化锗中的至少一种,所述第二氧化物选自氧化铝、氧化硼、氧化铁、氧化镓、氧化钛、稀土氧化物、氧化铟和氧化钒中的至少一种,并且所述分子筛具有基本上如下表所示的X射线衍射图案,

4.权利要求3所述的分子筛,其中,所述X射线衍射图案还包括基本上如下表所示的X射线衍射峰,

5.权利要求1或3所述的分子筛,其中,经BET法测得的总孔体积不低于0.5厘米3/克,经BET法测得的总比表面积不低于450米2/克,经BET法测得的外比表面积不低于185米2/克,并且外比表面积占总比表面积的比例不低于40%。

6.权利要求1或3所述的分子筛,具有MWW拓扑骨架结构,其晶体的至少80%是以TEM法测量的厚度为5nm的片状晶体。

7.权利要求1或3所述的分子筛,其中,其中所述第一氧化物与所述第二氧化物的摩尔比为25-200。

8.权利要求1或3所述的分子筛,其中,所述第一氧化物为二氧化硅。

9.权利要求1或3所述的分子筛,其中,所述第二氧化物为氧化铝。

10.权利要求3所述的分子筛,其中,所述有机模板剂与所述第一氧化物的质量比为0.07-0.27。

11.权利要求3所述的分子筛,其中,水与所述第一氧化物的质量比为0.02-0.11。

12.权利要求5所述的分子筛,其中,经BET法测得的总孔体积为0.55-0.90厘米3/克。

13.权利要求5所述的分子筛,其中,经BET法测得的总比表面积为480-680米2/克。

14.权利要求5所述的分子筛,其中,经BET法测得的外比表面积为200-400米2/克。

15.权利要求5所述的分子筛,其中,外比表面积占总比表面积的比例为45-65%。

16.权利要求6所述的分子筛,其中,晶体的至少85%是以TEM法测量的厚度为5nm的片状晶体。

17.权利要求6所述的分子筛,其中,晶体的至少90%是以TEM法测量的厚度为5nm的片状晶体。

18.权利要求6所述的分子筛,其中,晶体的至少95%是以TEM法测量的厚度为5nm的片状晶体。

19.权利要求6所述的分子筛,其中,晶体的至少99%是以TEM法测量的厚度为5nm的片状晶体。

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