[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；

在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；

在假栅极堆叠结构沿第一方向两侧的鳍片中和/或上形成掺杂的源漏区，假栅极堆叠结构下方的、源漏区之间的鳍片部分构成沟道区；

在衬底上形成层间介质层，选择性刻蚀去除假栅极堆叠结构，在层间介质层中留下栅极沟槽；

在栅极沟槽中以及层间介质层顶面上依次沉积栅极绝缘层以及多晶半导体层；

对多晶半导体层掺杂，以掺杂的多晶半导体层作为栅极导电层；

执行激活退火，同时激活了源漏区以及栅极导电层中的掺杂剂，促使掺杂剂在栅极导电层中均匀分布。

2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成栅极堆叠结构之前进一步包括，执行离子注入，在鳍片中部和/或底部形成穿通阻挡层。

3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，多晶半导体选自多晶Si、多晶SiGe、多晶Si:C、多晶Si:H、多晶Ge、多晶SiGeC、多晶GeSn、多晶SiSn、多晶InP、多晶GaN、多晶InSb、多晶碳化半导体的任意一种或其组合。

4.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成源漏区的步骤具体包括：在假栅极堆叠结构两侧形成第一栅极侧墙；以第一栅极侧墙为掩模对鳍片执行轻掺杂离子注入，形成源漏延伸区；在第一栅极侧墙两侧的源漏延伸区上外延生长抬升源漏区；在第一栅极侧墙两侧形成第二栅极侧墙；以第二栅极侧墙为掩模对抬升源漏区执行重掺杂离子注入。

5.如权利要求4的半导体器件制造方法，其中，轻掺杂离子注入为倾斜离子注入，调整倾斜角以控制源漏延伸区的结深。

6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，激活退火之后，平坦化栅极导电层和栅极绝缘层，直至暴露层间介质层。

7.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，对于pFinFET器件而言，多晶半导体中的杂质为p型杂质，选自B、In、Ga、Al、Mg、Sn的任一种及其组合；对于nFinFET器件而言，多晶半导体中的杂质为n型杂质，选自P、As、Te、Se、Sb、S的任一种及其组合。