[发明专利]集成像元级聚光透镜的红外探测器及其制备方法在审
申请号: | 201410486239.4 | 申请日: | 2014-09-23 |
公开(公告)号: | CN104310300A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 姜利军 | 申请(专利权)人: | 杭州大立微电子有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00;G01J5/10 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;高翠花 |
地址: | 310053 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 像元级 聚光 透镜 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种集成像元级聚光透镜的红外探测器,包括衬底及多个设置在所述衬底上的红外探测器像元,其特征在于,还包括多个密封盖及多个聚光透镜,每一所述密封盖包围一红外探测器像元,形成一容纳所述红外探测器像元的密封腔,每一所述密封盖的顶部外表面设置一所述聚光透镜,以将红外辐射汇聚到每一所述红外探测器像元上。
2.根据权利要求1所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器,其特征在于,制作所述密封盖材料与制作所述聚光透镜的材料相同,以提高密封盖及聚光透镜对红外辐射的透射。
3.根据权利要求1所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器,其特征在于,所述聚光透镜与密封盖接触面的面积小于或者等于所述密封盖的顶部外表面的面积。
4.根据权利要求1所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器,其特征在于,所述衬底包括多个读出电路单元,每一所述读出电路单元与每一所述红外探测器像元电连接。
5.根据权利要求1所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器,其特征在于,所述集成像元级聚光透镜的红外探测器为微测辐射热计。
6.根据权利要求1所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器,其特征在于,所述聚光透镜采用多晶硅、非晶硅、碳化硅、锗材料中的一种制备。
7.一种权利要求1所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 提供一衬底,所述衬底的表面预先设置有多个红外探测器像元; 在每一所述红外探测器像元外围制作密封盖,所述密封盖包围每一所述红外探测器像元,并形成一容纳所述红外探测器像元的密封腔; 在每一所述密封盖顶部外表面制作一聚光透镜,以形成所述集成像元级聚光透镜的红外探测器。
8.根据权利要求7所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器的制备方法,其特征在于,所述密封盖的制作方法包括如下步骤: 在所述衬底设置有多个红外探测器像元的表面上沉积第二牺牲层,所述第二牺牲层高于所述红外探测器像元; 图形化所述第二牺牲层,以形成多个贯通至所述衬底的环,每一所述环环绕每一所述红外探测器像元;在所述环内及环所环绕的第二牺牲层表面沉积红外辐射透过材料,以形成密封盖。
9.根据权利要求8所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器的制备方法,其特征在于,在提供所述衬底步骤中,所述衬底预先具有一第一牺牲层,所述第一牺牲层覆盖所述衬底表面并暴露出所述红外探测器像元,在所述第一牺牲层及红外探测器像元表面沉积第二牺牲层。
10.根据权利要求8所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器的制备方法,其特征在于,形成密封腔的方法包括如下步骤: 图形化所述密封盖,以在所述密封盖的顶部外表面形成至少一个贯通至所述第二牺牲层的释放孔; 释放所述第二牺牲层,以形成一容纳所述红外探测器像元的密封腔。
11.根据权利要求7所述的集成像元级聚光透镜的红外探测器的制备方法,其特征在于,所述聚光透镜的制作方法包括如下步骤: 在每一所述密封盖的顶部外表面沉积红外辐射透过材料,形成一覆盖在每一所述密封盖的顶部外表面的沉积层; 在所述沉积层表面形成球面的光刻胶; 以所述球面的光刻胶作为掩膜,刻蚀所述沉积层,形成聚光透镜。
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