[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在基板上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第一氧化物半导体膜；

在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜；

对所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜进行蚀刻来形成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层；

在所述第二氧化物半导体层上形成导电层；以及

对所述导电层进行蚀刻来形成源电极层及漏电极层，

其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第一氧化物半导体层都包含晶粒；

所述第一氧化物半导体层的电导率高于所述第二氧化物半导体层的电导率；

所述第二氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体层都包含绝缘性氧化物；以及

所述第二氧化物半导体层具有非晶结构。

2.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在基板上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第一氧化物半导体膜；

在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜；

对所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜进行蚀刻来形成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层；

在所述第二氧化物半导体层上形成导电层；以及

对所述导电层进行蚀刻来形成源电极层及漏电极层，

其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第一氧化物半导体层都包含晶粒，

所述第一氧化物半导体层的电导率高于所述第二氧化物半导体层的电导率，以及

所述第二氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体层都包含绝缘性氧化物。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述绝缘性氧化物是氧化硅。

4.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在基板上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第一氧化物半导体膜；

在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜；

对所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜进行蚀刻来形成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层；

在所述第二氧化物半导体层上形成导电层；以及

对所述导电层进行蚀刻来形成源电极层及漏电极层，

其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第一氧化物半导体层都包含晶粒，

所述第一氧化物半导体层的电导率高于所述第二氧化物半导体层的电导率，

所述第二氧化物半导体层具有第一区域和第二区域，

所述第一区域位于所述源电极层和所述漏电极层之间，所述第二区域与所述源电极层或所述漏电极层重叠；

所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度；以及

所述第二氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体层都包含绝缘性氧化物。

5.根据权利要求1、2或4中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述方法还包括以下步骤：

在所述形成导电层的步骤之前，在所述第二氧化物半导体层上形成具有n-型电导性的缓冲层，

其中所述缓冲层包含氧化物半导体。

6.根据权利要求1、2或4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述晶粒的直径为1-10nm。

7.根据权利要求1、2或4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一氧化物半导体膜、所述第二氧化物半导体膜、所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中都包含铟、锡和锌中的至少一种。

8.根据权利要求1、2或4中任一项所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述第一氧化物半导体膜通过溅射法形成，以及

所述第二氧化物半导体膜通过使用包含氧化硅的靶材的溅射法形成。