[发明专利]包括电子器件的集成电路芯片以及电子系统有效
申请号: | 201410486719.0 | 申请日: | 2014-09-22 |
公开(公告)号: | CN104576567B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | A·考洛姆布 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H05K1/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 电子器件 集成电路 芯片 以及 电子 系统 | ||
1.一种电子器件,包括:
衬底晶片,由绝缘材料制成并且包括电连接网络,所述电连接网络在第一面与第二面之间延伸,所述电连接网络具有由过孔连接的多个金属层;
至少一个集成电路芯片,被安装在所述衬底晶片的一侧;
多个中介金属元件,被配置用于将所述集成电路芯片安装到所述衬底晶片;
多个外部金属元件,被安装在所述衬底晶片的相对侧上;以及
金属板,被集成到所述衬底晶片中并且位于所述金属层的中介层之间,其中所述金属板包括突出部,所述突出部从所述金属板延伸通过所述衬底晶片、并且热连接至所述多个中介金属元件和所述多个外部金属元件。
2.根据权利要求1所述的电子器件,
其中所述中介金属元件包括:第一中介金属元件,将所述集成电路芯片连接至所述电连接网络;以及第二中介金属元件,将所述集成电路芯片连接至所述金属板;以及
其中所述外部金属元件包括连接至所述电连接网络的第一金属元件和连接至所述金属板的第二外部金属元件。
3.根据权利要求2所述的电子器件,其中所述第二中介金属元件被放置在所述金属板的所述突出部上。
4.根据权利要求3所述的电子器件,其中所述第二外部金属元件被放置在所述金属板的所述突出部上。
5.根据权利要求1所述的电子器件,其中所述金属板包含填充有导热材料的至少一个内部导管。
6.根据权利要求5所述的电子器件,其中所述衬底晶片包含连接至所述金属板的所述内部导管的导管,所述导管被配置用于连接至外部装置以用于形成通过所述导管和所述内部导管的流体流动。
7.根据权利要求1所述的电子器件,其中所述衬底晶片包括多个层,并且其中所述金属板所具有的厚度比多个所述层厚并且在所述衬底晶片的厚度以下。
8.根据权利要求1所述的电子器件,还包括另一衬底晶片,所述另一衬底晶片具有另一电连接网络,所述另一电连接网络连接至所述电连接网络并且包括连接至所述另一电连接网络的至少一个其它集成电路芯片。
9.根据权利要求8所述的电子器件,还包括印刷电路板,所述衬底晶片使用外部金属元件被安装到所述印刷电路板。
10.一种电子器件,包括:
集成电路芯片,具有第一接触;
衬底晶片,由多个层制成并且具有顶表面和底表面,所述顶表面具有顶部接触焊盘,所述底表面具有底部接触焊盘;
其中所述集成电路芯片被安装至所述衬底晶片,其中所述第一接触连接至所述顶部接触焊盘;以及
所述衬底晶片还包括金属体,所述金属体包括:金属板,被嵌入在所述衬底晶片内的所述多个层的中介层之间;第一金属区域,从所述金属板突出通过所述衬底晶片的层以到达所述衬底晶片的所述顶表面;以及第二金属区域,从所述金属板突出通过所述衬底晶片的层以到达所述衬底晶片的所述底表面。
11.一种电子器件,包括:
集成电路芯片,具有第一接触;
衬底晶片,由多个层制成并且具有顶表面和底表面,所述顶表面具有顶部接触焊盘,所述底表面具有底部接触焊盘;
其中所述集成电路芯片被安装至所述衬底晶片,其中所述第一接触连接至所述顶部接触焊盘;以及
所述衬底晶片还包括金属板,所述金属板被嵌入在所述衬底晶片内的所述多个层的中介层之间,其中所述金属板还包括突出部,所述突出部延伸通过所述衬底晶片的所述多个层以到达所述底表面的所述底部接触焊盘;
所述金属板包括填充有导热材料的内部导管;
其中所述金属板热连接至所述集成电路芯片。
12.根据权利要求11所述的电子器件,其中所述衬底晶片还包括延伸通过所述衬底晶片并且与所述金属板的所述内部导管流体连通的导管。
13.根据权利要求12所述的电子器件,其中延伸通过所述衬底晶片的所述导管被配置用于连接至外部装置以用于形成通过所述导管和所述内部导管的导热流体流动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(格勒诺布尔2)公司,未经意法半导体(格勒诺布尔2)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410486719.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种IGBT模块和输出铜排电连接结构
- 下一篇:一种制作半导体器件的方法