[发明专利]一种接触孔界面处理方法有效
| 申请号： | 201410487085.0 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105514023B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 郭晓辉;黄家琦;柯其勇;彭军 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 姜怡;阚梓瑄 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触孔 界面处理 数据线 漏极 源极 去除 有机残余物 原生氧化物 氮气处理 接触阻抗 金属栅极 氢气处理 栅极界面 保护层 多晶硅 接触处 均匀性 氢氟酸 湿蚀刻 未使用 沉积 还原 清洗 腐蚀 安全 维护 | ||
【权利要求书】：
1.一种接触孔界面处理方法，包括：
在数据线沉积于接触孔之前，对通过接触孔露出的源极界面、漏极界面和栅极界面进行处理，去除有机残余物；
进行氢气处理，去除所述源极界面、所述漏极界面和所述栅极界面上的原生氧化物；以及
进行氮气处理，在所述源极界面、所述漏极界面和所述栅极界面上形成保护层，
其中利用极紫外光清洗装置对通过接触孔露出的源极界面、漏极界面和栅极界面进行处理。
2.根据权利要求1的接触孔界面处理方法，其中所述原生氧化物包括氮氧化硅、二氧化硅和金属氧化物。
3.根据权利要求1的接触孔界面处理方法，其中所述氢气的流量为5000～8000sccm。
4.根据权利要求3的接触孔界面处理方法，其中进行所述氢气处理的时间为5～10秒。
5.根据权利要求4的接触孔界面处理方法，其中进行所述氢气处理的功率为1000～3000W。
6.根据权利要求5的接触孔界面处理方法，其中进行所述氢气处理的功率为1500～2000W。
7.根据权利要求1的接触孔界面处理方法，其中所述氮气的流量为5000～8000sccm。
8.根据权利要求7的接触孔界面处理方法，其中进行所述氮气处理的时间为5～10秒。
9.根据权利要求8的接触孔界面处理方法，其中进行所述氮气处理的功率为800～1200W。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司，未经上海和辉光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410487085.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种液晶显示装置的背光驱动装置及方法
- 下一篇：非易失性存储器及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
