[发明专利]高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法

权利要求书

1.一种高电阻结构的原位温度检测装置，其特征在于，包括：

第一二极管，包括第一正极端子和第一负极端子；

第二二极管，包括第二正极端子和第二负极端子；

一个或多个二极管组，各所述二极管组分别包括一个或多个二极管，各所述二极管组反向设置在所述第一负极端子与第二正极端子之间。

2.根据权利要求1所述的原位温度检测装置，其特征在于，各所述二极管组分别包括多个并联的所述二极管。

3.根据权利要求2所述的原位温度检测装置，其特征在于，各所述二极管组分别包括100～10000个所述二极管。

4.根据权利要求1所述的原位温度检测装置，其特征在于，所述二极管为肖特基二极管。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的原位温度检测装置，其特征在于，多个所述二极管组并联设置在所述第一负极端子与第二正极端子之间。

6.根据权利要求5所述的原位温度检测装置，其特征在于，所述二极管组为两个，所述两个二极管组对称设置在所述高电阻结构的两侧。

7.一种芯片，其特征在于，包括：

高电阻结构；以及

权利要求1至6中任一项所述的原位温度检测装置，与所述高电阻结构相邻设置，用于检测所述高电阻结构的工作温度。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述原位温度检测装置的第一正极端子和第二负极端子均与所述高电阻结构的一端电性连接。

9.一种高电阻结构的失效检测方法，其特征在于，所述失效检测方法采用权利要求1至6中任一项所述的原位温度检测装置实施，包括以下步骤：

S1，在预定电压下，利用所述原位温度检测装置获取所述二极管组的漏电流与温度的关系曲线，所述预定电压小于所述二极管组的击穿电压；

S2，用所述二极管组感应相邻的所述高电阻结构所辐射的热量；

S3，在所述高电阻结构的两端施加电压，检测通过所述高电阻结构的电流；

S4，使所述第二负极端子接地，在所述第一负极端子和所述第二负极端子之间施加与步骤S1相同的所述预定电压，检测所述二极管组的漏电流，由所述漏电流与温度的关系曲线得到所述高电阻结构的温度；以及

S5，利用所述电流、所述温度值和Black电迁移方程计算所述高电阻结构的平均失效时间。

10.根据权利要求9所述的失效检测方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11，将所述高电阻结构加热至预定温度；

步骤S12，在所述预定温度下，使所述第二负极端子接地，在所述第一负极端子与所述第二负极端子之间施加所述预定电压，检测流过所述二极管组的电流，得到在所述预定温度下所述漏电流与温度的对应关系；以及

步骤S13，重复所述步骤S11和所述步骤S12，其中，各步骤S11中的预定温度不同，得到所述漏电流与温度的关系曲线。

11.根据权利要求10所述的失效检测方法，其特征在于，所述原位温度检测装置的第一正极端子和第二负极端子均与所述高电阻结构的一端电性连接。

12.根据权利要求11所述的失效检测方法，其特征在于，所述步骤S3中在高电阻结构两端施加的电压时，所述第一负极端子接地。