[发明专利]绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法

说明书

本发明实施例提供一种绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法。上述绝缘栅极双极性晶体管包括主体；漂移区，接近于主体的顶面；集极区，从主体的底面延伸至主体中；一栅极结构，位于漂移区上；第一井区和第二井区，位于上述漂移区上，且位于上述第一栅极结构的两侧；第一射极区，位于第一井区中；第二射极区，位于第二井区中，第一射极区与第一井区之间的深度差不同于第二射极区与第二井区之间的深度差。

技术领域

本发明实施例是有关于一种绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法，特别是有关于一种改善闩锁现象(Latch-up)的绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法。

背景技术

目前电源管理集成电路(power management integrated circuit，PMIC)最常应用绝缘栅极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)作为开关元件。IGBT结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的驱动电流小及快速切换的特性与双极性晶体管(BJT)的耐高电流与导通电阻小特性。半导体产业持续地发展低关闭损耗(turn-off loss)及低导通电压(on-voltage，Vce on)的IGBT。然而，现有技术的IGBT的导通电压与关闭损耗之间难以权衡。当降低IGBT的导通电压时，会增加IGBT的关闭损耗。反之，当降低IGBT的关闭损耗时，会增加IGBT的导通电压。

IGBT在集极与射极之间有一个寄生PNPN晶体闸流管(thyristors)。当晶体闸流管导通时，会使集极与射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。上述晶体闸流管导通现象被称为闩锁现象。

因此，在此技术领域中，有需要一种新颖的绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法，以改善上述缺点。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种绝缘栅极双极性晶体管，以改善闩锁现象。

本发明的一实施例提供一种绝缘栅极双极性晶体管。上述绝缘栅极双极性晶体管包括一主体，具有一顶面和一底面；一漂移区，位于上述主体内，且接近于上述主体的上述顶面，其中上述漂移区具有一第一导电类型；一集极区，从上述主体的上述底面延伸至部分上述主体中，其中上述集极区具有相对于上述第一导电类型的一第二导电类型；一第一栅极结构、一第二栅极结构和一第三栅极结构，位于上述漂移区上，且彼此隔开；一第一井区，位于上述漂移区上，且位于上述第一栅极结构和上述第二栅极结构之间，其中上述第一井区具有上述第二导电类型；一第二井区，位于上述漂移区上，且位于上述第一栅极结构和上述第三栅极结构之间，其中上述第二井区具有上述第二导电类型；一第一射极区，从上述主体的上述顶面延伸至上述第一井区中，其中上述第一射极区具有上述第一导电类型；一第二射极区，从上述主体的上述顶面延伸至上述第二井区中，其中上述第二射极区具有上述第一导电类型，其中上述第一射极区与上述第二射极区电连接，其中从上述第一射极区与上述第一井区之间沿一方向的一第一界面至上述第一井区与上述漂移区之间沿该方向的一第二界面的一第一距离不同于从上述第二射极区与上述第二井区之间沿该方向的一第三界面至上述第二井区与上述漂移区之间沿该方向的一第四界面的一第二距离。