[发明专利]半导体晶片冷却装置在审
申请号: | 201410488398.8 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN104362113A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 野口贵也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/687 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 晶片 冷却 装置 | ||
1.一种半导体晶片冷却装置,其中,具备:
托盘,其具有载置半导体晶片的载置面;
冷却管道,配置在所述托盘内,流过对在所述载置面上载置的所述半导体晶片进行冷却的冷却介质;以及
真空管道,在所述载置面具有开口并设置在所述托盘,对在所述载置面上载置的所述半导体晶片进行吸附,
所述冷却管道是所述冷却介质在相互相反方向流过的一对冷却管道,
所述冷却管道的每一个是将多个分支管道并联连接的结构,
构成一方的所述冷却管道的分支管道在与所述载置面平行的面内与构成另一方的所述冷却管道的分支管道交替地配置。
2.一种半导体晶片冷却装置,其中,具备:
托盘,其具有载置半导体晶片的载置面;以及
一对冷却管道,配置在所述托盘内,在相互相反方向流过对在所述载置面上载置的所述半导体晶片进行冷却的冷却介质,
所述冷却管道的每一个是将多个分支管道并联连接的结构,
构成一方的所述冷却管道的分支管道在与所述载置面平行的面内与构成另一方的所述冷却管道的分支管道交替地配置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片冷却装置,其中,还具备:压紧环,对在所述载置面上载置的所述半导体晶片的外周部从所述载置面的相反侧进行抵接,将所述半导体晶片按压到所述载置面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造