[发明专利]铜及钼含有膜的蚀刻液组合物

说明书

本发明涉及一种蚀刻液组合物，在蚀刻含有铜及钼的膜时，即使铜膜的厚度较厚，也可加快铜膜蚀刻的速度，维持钼含有膜较高的蚀刻速度，防止配线段不良。所述蚀刻液组合物是含有作为氧化剂的过氧化氢和过硫酸盐的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于所述过氧化氢100重量份，含有0.5～10重量份的所述过硫酸盐。

技术领域

本发明涉及一种铜钼膜或铜钼含有膜(以下简称为“铜/钼含有膜”)的蚀刻液组合物，尤其是用于TFT-LCD显示器电极的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物。

背景技术

半导体装置、TFT-LCD、OLED等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，均匀地涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照射后成像，使所需的图案光刻胶成像，采用干式蚀刻或湿式蚀刻，在光刻胶下部的金属膜或绝缘膜上显示图案后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成的。

大型显示器的栅极及数据金属配线所使用的铜合金，与以往技术中的铝铬配线相比，阻抗低且没有环境问题。铜存在与玻璃基板及绝缘膜的贴附性较低，易扩散为氧化硅膜等问题，所以通常使用钛、钼等作为下部薄膜金属。

同时蚀刻铜膜及钼含有膜时，作为可使用的蚀刻液组合物的相关技术，在韩国专利公开公报第2006-0064881号、专利公开公报第2006-0099089号等中公开了以过氧化氢为基础的铜/钼含有膜的蚀刻液。但是，这些蚀刻液在反复进行蚀刻时，该蚀刻液内的金属含量增加，会失去蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等石刻特性，若要降低蚀刻液中的金属含量，则需要很大量的蚀刻液，这是现有技术的问题。

进一步，显示器的高画质及大型化促使用于配线的铜金属的厚度有所增加，追求高画质就要求像素变小，配线幅度增加，要求大型化就需要减小配线的电阻。对此，不得不增加用于配线的铜金属的厚度。

铜金属的厚度变厚，蚀刻工程的时间就会变长，会降低生产效率，若要提高蚀刻速度，会导致配线段不良，也会发生问题。

先行技术文献

专利文献

(专利文献1)专利公开第2006-0064881号(2006年6月14日公开)

(专利文献2)专利公开第2006-0099089号(2006年9月19日公开)

发明内容

本发明的目的在于提供一种在蚀刻铜/钼含有膜时，即使增加铜金属的厚度，也可以维持较高的蚀刻速度，保证工程时间，其没有配线段不良的顾虑的蚀刻液组合物。

为了实现本发明的目的，本发明的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物是含有作为氧化剂的过氧化氢和过硫酸盐的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于所述过氧化氢100重量份，含有0.5～10重量份的所述过硫酸盐。

依据本发明优选实施方式，相对于组合物的总重量，含有15～30重量％的过氧化氢，0.05～3重量％的过硫酸盐，0.1～3重量％的蚀刻抑制剂，0.1～5重量％的螯合剂，0.01～2重量％的选自由无机酸、有机酸及其盐构成的群中的一种以上的化合物，0.01～2重量％的氟化物，及使组合物总重量达到100重量％的水。

所述过硫酸盐选自由过硫酸钠、过硫酸钾、过硫酸铵及其混合物构成的群中的硫酸盐。

所述抑制剂选自由呋喃、噻吩、吡咯、恶唑、咪唑、吡唑、1,2,4-三氮唑、四唑、5-氨基四唑、甲基四唑、哌嗪、甲基哌嗪、羟乙基哌嗪、吡咯烷及四氧嘧啶、氧茚、苯并噻吩、吲哚、苯并咪唑、苯并吡唑、氨基四唑、甲基苯并三唑、氢甲基苯并三唑、羟甲基苯并三唑及其混合物所构成的群。

所述螯合剂是在分子内与氨基一起，含有羧酸基或磷酸基的化合物。