[发明专利]一种钽钌合金靶材及其制备方法

权利要求书

1. 一种钽钌合金靶材的制备方法，其特征在于：包括依次进行的如下步骤：

（1）、将纯度大于等于99.95%的钽粉和纯度大于等于99.95%的钌粉混合均匀后进行冷等静压压成块状，然后真空烧结；

（2）、真空烧结之后再进行真空电子束熔炼，获得纯度大于等于99.995%、氧含量低于50ppm的高纯钽钌合金锭；

（3）、将所述的高纯钽钌合金锭在950℃~1300℃下进行径向热锻，然后进行退火处理；

（4）、将经步骤（3）处理后的高纯钽钌合金锭在950℃~1300℃下进行纵向墩粗，然后进行退火处理；

（5）、将经步骤（4）处理后的高纯钽钌合金锭在850℃~950℃下进行热轧，然后在10℃~30℃下进行冷轧，然后再在800℃~900℃下进行再结晶退火处理；

（6）、将经步骤（5）处理后的高纯钽钌合金锭与背板焊接即得所述的钽钌合金靶材。

2. 根据权利要求1所述的钽钌合金靶材的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述的混合粉末中的钌粉的含量为22~66at.%。

3. 根据权利要求1所述的钽钌合金靶材的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，在温度为2980℃~3000℃下真空烧结3.5~4h。

4. 根据权利要求1所述的钽钌合金靶材的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，在真空度为0.3~4Pa下进行真空电子束熔炼。

5.根据权利要求1所述的钽钌合金靶材的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，所述的高纯钽钌合金锭的直径为250 mm ~350mm。

6. 根据权利要求1所述的钽钌合金靶材的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，先将所述的高纯钽钌合金锭预热到950℃~1300℃；然后利用空气锤对预热后的高纯钽钌合金锭进行圆周方向的击打，击打后的高纯钽钌合金锭的直径为130 mm ~160mm；然后再升温到950℃~1300℃，保温2~3小时后，自然冷却到10℃~30℃。

7. 根据权利要求1所述的钽钌合金靶材的制备方法，其特征在于：步骤（4）中，先将经步骤（3）处理后的高纯钽钌合金锭截成厚度为130 mm ~160mm的短节；然后将所述的短节预热到950℃~1300℃；然后利用液压锻机对预热后的短节进行锻压，锻压后的短节的厚度为45 mm ~55mm；然后再升温到950℃~1300℃，保温2~3小时后，自然冷却到10℃~30℃。

8. 根据权利要求1所述的钽钌合金靶材的制备方法，其特征在于：步骤（5）中，热轧和冷轧的轧制方式均为圆对圆轧制，热轧后的高纯钽钌合金锭的厚度为15 mm ~25mm；冷轧后的高纯钽钌合金锭的厚度为10 mm ~13mm；再结晶后的晶粒尺寸小于100微米。

9. 根据权利要求1所述的钽钌合金靶材的制备方法，其特征在于：步骤（6）中，将经步骤（5）处理后的高纯钽钌合金锭机加工成直径为445 mm ~455mm，厚度为9.5 mm ~10.5 mm的圆盘状锭子，然后与所述的背板焊接，得到所述的钽钌合金靶材。

10. 一种采用权利要求1至9中任一项所述的制备方法制得的钽钌合金靶材。