[发明专利]控制限制环位置的直接驱动装置及其方法有效
申请号: | 201410489692.0 | 申请日: | 2010-08-26 |
公开(公告)号: | CN104362067B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 约翰·W·拉斯尼克;佛瑞德·D·埃格利 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 限制 位置 直接 驱动 装置 及其 方法 | ||
本申请是申请号为201080038541.3、申请日为2010年8月26日、发明名称为“控制限制环位置的直接驱动装置及其方法”的申请的分案申请。
背景技术
等离子体处理的进步已经促进了半导体产业的发展。为了在半导体产业中拥有竞争力,制造商在衬底处理期间需要能将浪费降到最低。相应地,为了降低浪费并生成高质量的半导体设备,在衬底处理期间保持对处理参数的严格控制是必要的。
在等离子体处理系统中,等离子体形成在衬底上以执行衬底处理。为了控制等离子体形成并保护处理腔壁,可以使用限制环。通常,限制环被配置为围绕着在其中形成等离子体的容积腔的外围。
限制环可以包括在顶上互相堆叠的多个环。可以调节限制环间的间隙来控制受限区域内的压强大小。换而言之在衬底处理期间,如果腔压在指定范围(诸如由本方法确定的范围)之外,就可以调节限制环。在范例中,为了增加处理腔内的压强,可以减小限制环之间的间隙。
因此,为了在衬底处理期间保持对压强参数的严格控制,需要一种控制限制环活动的装置。
发明内容
本发明在实施方式中涉及衬底处理期间控制等离子体处理系统中处理腔的受限区域内压强大小的直接驱动装置,其中所述受限区域是由成套限制环围绕的腔容积空间(volume)。所述装置包括多个活塞组件,该多个活塞组件被配置为通过垂直移动所述成套限制环改变压强大小。所述装置还包括多个马达组件,该多个马达组件被配置为垂直移动所述多个活塞组件并记录所述多个活塞组件的多个设定点位置值。所述装置进一步包括成套电路,该成套电路被配置为至少用于驱动所述多个马达组件以移动所述多个活塞组件从而改变所述受限区域内的压强大小。所述成套电路也被配置为将功率提供到所述多个马达组件以移动所述多个活塞组件。所述成套电路进一步被配置为接收来自所述多个马达组件的所述多个设定点位置值。
以上概述只涉及此处公开的本发明许多实施方式中的一个,其目的不是限制本发明的范围,本发明的范围说明在本发明的权利要求中。结合以下附图,下面将在本发明的具体实施方式中更详细地描述本发明的这些或其他特征。
附图说明
在附图中以范例的方式而不是限制的方式对本发明进行说明,附图中相似的参考数字指的是相似的部件,其中:
图1示出了顶板顶上CAM环装置的简图。
图2示出了实施方式中处理腔内直接驱动装置的简单剖面图。
图3示出了在本发明的实施方式中顶板上直接驱动装置的简图。
图4A、4B、4C和4D示出了本发明的实施方式中活塞装置的不同视图。
图5示出了本发明实施方式中印刷电路板(PCB)的简单功能图。
图6示出了在本发明实施方式中直接驱动环境的逻辑图。
图7示出了在实施方式中说明了用直接驱动装置校准的方法的简单流程图。
图8示出了在本发明的实施方式中说明了在衬底处理期间用于管理直接驱动装置的控制策略的简单流程图。
具体实施方式
现在将参考附图所示的几个实施方式具体描述本发明。在下面的描述中,说明了许多具体细节以便将本发明理解透彻。然而,对本领域技术人员来说,显然没有这些具体细节的某些或全部也可以实施本发明。在其他情况下,为了避免不必要地混淆本发明,所以没有详细描述已知的处理步骤和/或结构。
以下描述了各种实施方式,包括方法和技术。应当注意到本发明也可以涵盖包括计算机可读介质的制品,所述计算机可读介质上存储有实施创造性技术实施方式的计算机可读指令。所述计算机可读介质例如可以包括存储计算机可读代码的半导体的、磁的、光磁的、光的或其他形式的计算机可读介质。进一步地,本发明还可以涵盖实施本发明实施方式的装置。这些装置可以包括执行本发明实施方式有关任务的专用和/或可编程电路。这些装置的范例包括适当编程的通用计算机和/或专用计算装置,并且可以包括适用于本发明实施方式的各种任务的计算机/计算装置与专用/可编程电路的组合。
如前所述,等离子体被用于将衬底刻蚀成半导体设备。本领域的技术人员知晓在衬底处理期间等离子体稳定是重要的。因此,在衬底处理期间保持对处理参数严格控制的能力对等离子体稳定是基本的。当所述处理参数在狭窄的预定窗口外时,可能就必须调节所述处理参数以保持稳定的等离子体。
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