[发明专利]IGBT器件的栅极结构有效
| 申请号： | 201410490036.2 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104518009B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 马彪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 器件 栅极 结构 | ||
1.一种IGBT器件的栅极结构，其特征在于：IGBT器件由多个IGBT单元结构并联形成，各所述IGBT单元结构都包括一个栅极单元；
在俯视面上，各所述栅极单元排列成一组或多组栅极并联结构，各所述栅极单元采用网状结构的方式并联形成各所述栅极并联结构，各所述栅极并联结构并联形成所述IGBT器件的栅极结构；
各所述栅极并联结构中的各所述栅极单元都呈条形且平行排列且作为所述栅极并联结构的最底级，相邻的多个所述栅极单元并联在一起作为所述最底级的上一级的子单元，所述栅极并联结构的各对应级的相邻的多个子单元并联在一起作为各对应级的上一级的子单元；所述栅极结构的所有所述栅极并联结构的最顶级连接在一起并和一栅极焊盘连接；
通过各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间的连接结构调节所述栅极结构的电阻，各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间的连接结构的串联电阻越大、所述栅极结构的电阻越大；
各所述栅极单元以及各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间的连接结构都由多晶硅组成，且各所述栅极单元以及各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间的连接结构的多晶硅为位于同一层版图中且工艺条件相同，以易于调整所述栅极结构的电阻。
2.如权利要求1所述IGBT器件的栅极结构，其特征在于：对于各所述栅极并联结构的任一级，该级的各子单元并联结构中所包含的子单元的数目相同。
3.如权利要求1所述IGBT器件的栅极结构，其特征在于：各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间串联的级数越多，各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间的连接结构的串联电阻越大，所述栅极结构的电阻越大。
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