[发明专利]3DNAND闪存的形成方法

权利要求书

1.一种3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，所述衬底上形成有多个阵列串，相邻的阵列串之间设有沟槽，所述沟槽暴露出所述衬底，所述阵列串及衬底表面上覆盖有导体层；

采用第一刻蚀工艺刻蚀所述导体层，形成存储层；

采用第二刻蚀工艺刻蚀所述存储层，形成存储层凹槽；

在所述阵列串、衬底及存储层凹槽的表面形成阻挡介质层；

采用第三刻蚀工艺刻蚀所述阻挡介质层，暴露出所述衬底的表面及阵列串的顶部；

在所述阵列串的顶部及沟槽内形成隔离介质层；

研磨所述隔离介质层，暴露出所述阵列串的顶部；

进行快速退火工艺。

2.如权利要求1所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述阵列串包括：多晶硅、多晶硅介质层及多个堆叠的层间介质层，存储单元形成在所述阵列串中且位于相邻的层间介质层之间，所述多晶硅介质层形成于所述多晶硅内，所述层间介质层和所述存储单元均位于所述多晶硅的两侧，所述存储单元由存储层和存储介质层组成，所述存储介质层位于所述存储层、层间介质层及多晶硅之间。

3.如权利要求2所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述多晶硅介质层和层间介质层均为氧化硅，所述存储介质层为氧化硅-氮化硅-氧化硅的组合。

4.如权利要求1所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述导体层的材质为钨。

5.如权利要求1所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀。

6.如权利要求5所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺的刻蚀功率范围是100W～200W。

7.如权利要求1所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺为湿法刻蚀。

8.如权利要求1所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述阻挡介质层为氮化硅，采用原子沉积法形成。

9.如权利要求1所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺为干法刻蚀。

10.如权利要求9所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺的刻蚀功率范围是1000W～1500W。

11.如权利要求1所述的3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述隔离介质层为氧化硅，采用原子沉积法形成。