[发明专利]一种存储器

说明书

本发明公开了一种存储器，该存储器包括：存储阵列和全局位线；所述存储阵列，包括以阵列排布的若干个存储单元，所述存储单元由隔离区按列隔开；至少一条所述全局位线，所述全局位线为相连的n条窄全局位线，所述窄全局位线的宽度小于宽度阈值，所述窄全局位线位于所述存储阵列的隔离区所在区域的上方，其中，n为整数且大于或等于2。本发明提供的一种存储器，通过将全局位线拆分为n条窄全局位线，使得存储器的任意一列存储单元均不会被窄全局位线完全覆盖，进而在紫外光照射后，存储器的存储单元的初始化一致性良好。

技术领域

本发明涉及存储器技术，尤其涉及一种存储器。

背景技术

近年来，随着各种移动设备中对数据存储要求的日益增大，存储器的发展和应用越来越广泛，对能在断电情况下仍然保存数据的非易失性存储器的需求越来越大。快闪存储器是一种发展很快的非易失性存储器，它既具有半导体存储器读取速度快、存储容量大的优点，又具有非易失特征，是现有技术中被广泛应用的存储器。

在快闪存储器制作工艺中，闪存芯片制备完成之后，在出厂使用之前，通常需要对闪存芯片进行紫外(Ultraviolet，UV)光照射，以使芯片出厂时，其中的每一个存储单元存储内容均被擦除(全为“1”)，即初始化，出厂后用户可根据需要对存储单元进行编程。紫外线照射存储阵列的存储单元，当浮置栅极接收到紫外线的照射，浮栅中的电子接收了紫外线光量子的能量，则电子变成具有穿透硅氧化膜能壁能量的热电子，热电子穿透硅氧化膜，流向基板和栅极，恢复为擦除状态，由此达到擦除浮栅中的电荷的目的。

现有技术中，由于闪存芯片的全局位线(Global Bit Line，GBL)比较宽，所以在布线时，从顶层延伸到存储阵列时会覆盖至少1列存储单元或相邻存储单元的周边部分，并且，全局位线的材料为金属材料，当对闪存芯片进行UV光照射时，被全局位线覆盖的1列或多列存储单元上的金属材料的全局位线会反射UV光，使紫外光透光率降低，导致被覆盖的存储单元比未覆盖的存储单元需要更长时间的紫外光照射才能完成存储单元初始化，因此闪存芯片有些存储单元在全局位线之下，有些存储单元不在全局位线之下时，存储单元的一致性差。

发明内容

本发明提供一种存储器，以解决现有技术中紫外光照射存储器的存储单元使其初始化时，存储器的存储单元一致性差的问题。

本发明提供了一种存储器，包括：存储阵列和全局位线；

所述存储阵列，包括以阵列排布的若干个存储单元，所述存储单元由隔离区按列隔开；

至少一条所述全局位线，所述全局位线为相连的n条窄全局位线，所述窄全局位线的宽度小于宽度阈值，所述窄全局位线位于所述存储阵列的隔离区所在区域的上方，其中，n为整数且大于或等于2。

进一步地，所述全局位线的材料为金属。

进一步地，所述相连的n条窄全局位线具体为：

通过金属线连接n条所述窄全局位线的n个第一端口，以及通过所述金属线，连接n条所述窄全局位线的n个第二端口。

进一步地，所述宽度阈值具体为所述隔离区的宽度和2个有源区的宽度的总和。

本发明提供的一种存储器，任一条全局位线由n条窄全局位线组成，并将窄全局位线排列在隔离区上方，使得任意一列存储单元均不会被窄全局位线完全覆盖，那么，当使用紫外光对存储器的存储单元进行照射时，每一个存储单元均能够获得紫外光照射，并不受上方全局位线的影响，从而使得在紫外光照射后，存储器的存储单元的初始化一致性良好。本发明的有益效果在于，使存储器的每一个存储单元都不会被金属线的全局位线完全覆盖，每一个存储单元都能够接收到紫外光的照射，解决了紫外光透光率低的问题，并且这种存储器的设计方法简单、复杂度低、金属材料的全局位线布线方式简单，全局位线的总宽度也未收到影响，达到了提高存储器的存储单元初始化一致性的效果。

附图说明