[发明专利]半导体装置和测试方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

基板，所述基板由半导体制成；以及

器件群，所述器件群被形成于所述基板上，且由多个第一电容器构成，

其中所述器件群包括一个或多个第一导电层且包括第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层被设置成彼此部分地重叠或者彼此整体地重叠，且绝缘膜介于所述第一导电层与所述第二导电层之间，

所述第一导电层包括沿着一个方向延伸的边缘，

所述第二导电层包括多个子导电层，所述多个子导电层具有大体上彼此相同的形状，并且

所述多个子导电层被布置在相对于所述第一导电层的所述边缘而相对不同的位置处，

所述半导体装置还包括：

检测电路，所述检测电路被构造成基于所述器件群中的电容来检测所述第一导电层与所述第二导电层之间的错位量；

第二电容器，所述第二电容器被设置于所述基板上；以及

校正电路，所述校正电路被构造成基于由所述检测电路检测出的所述错位量来校正所述第二电容器的电容。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述器件群中，所述第二导电层中的所述多个子导电层被布置成彼此电隔离，并且

与所述多个子导电层对应地设置有所述一个第一导电层，或者与所述多个子导电层对应地设置有被构造成彼此电连接的所述多个第一导电层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个子导电层被布置在沿着一个轴方向以阶梯的方式偏移的位置处。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述基板上的多个位置处设置有所述器件群。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中沿着彼此正交的两个轴方向中的每一者而设置有所述器件群。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个子导电层的平面形状是矩形、半圆形或者三角形。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述检测电路通过所述器件群中的所述多个第一电容器的各电容的相对比较来检测所述错位量。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述校正电路包括多个第三电容器，所述多个第三电容器均与所述第二电容器并联连接，并且

所述多个第三电容器中的一个第三电容器、或者一些第三电容器、或者全部第三电容器通过基于所述错位量的校正而被电切断。

9.一种半导体装置，其包括：

基板，所述基板由半导体制成；

多个第一电容器，所述多个第一电容器被形成于所述基板上，并且各所述第一电容器包括第一导电层和第二导电层，且绝缘膜介于所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及

检测电路，所述检测电路被构造成基于所述多个第一电容器的电容来检测所述第一导电层与所述第二导电层之间的错位量，

其中所述第一导电层被设置为多个，

所述第二导电层被设置成与各所述第一导电层部分地重叠或者整体地重叠，并且

所述检测电路被构造成通过算术处理来检测所述错位量，所述算术处理使用了从所述多个第一电容器中选出的电容器的电容之差以及所选出的电容器的电容之和，

所述半导体装置还包括：

第二电容器，所述第二电容器被设置于所述基板上；以及

校正电路，所述校正电路被构造成基于由所述检测电路检测出的所述错位量来校正所述第二电容器的电容。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中

所述多个第一导电层沿着一个轴方向而被布置着，并且

所述第二导电层被布置成跨越沿着所述一个轴方向而被布置的所述多个第一导电层各自的一部分。