[发明专利]具有场电极的晶体管器件

权利要求书

1.一种晶体管器件，包括：

源区域、漂移区域和布置在所述源区域与所述漂移区域之间的基体区域；

栅电极，与基体区域相邻并且通过栅电介质与基体区域电介质绝缘；以及

场电极结构，包括场电极和场电极电介质，所述场电极结构与漂移区域和基体区域相邻并且在第一方向上与栅电极间隔开，所述第一方向与源区域和漂移区域被间隔开所沿的垂直方向正交；

其中所述场电极电介质将所述场电极至少与所述漂移区域电介质绝缘，

其中所述场电极结构具有与漂移区域相邻的基本恒定的第一宽度和与基体区域相邻的基本恒定的第二宽度，并且

其中所述第一宽度大于所述第二宽度；

其中所述栅电极是在垂直方向上的槽电极。

2.权利要求1的所述晶体管器件，其中所述第二宽度小于所述第一宽度的60％。

3.权利要求1的所述晶体管器件，其中所述场电极与基体区域相邻。

4.权利要求1的所述晶体管器件，其中所述场电极电介质具有与漂移区域相邻的第一厚度和与基体区域相邻的第二厚度，并且其中所述第一厚度大于所述第二厚度。

5.权利要求1的所述晶体管器件，其中所述场电极具有与漂移区域相邻的第一宽度和与基体区域相邻的第二宽度，其中所述场电极的所述第一宽度小于所述场电极的所述第二宽度。

6.权利要求1的所述晶体管器件，其中在背对基体区域的方向上所述场电极的宽度减少并且所述场电极电介质的厚度增加。

7.权利要求1的所述晶体管器件，进一步包括：

漏区域；以及

场停止区域，被布置在所述漂移区域与所述漏区域之间，

其中所述场停止区域具有高于所述漂移区域的掺杂浓度并且低于所述漏区域的掺杂浓度。

8.权利要求7的所述晶体管器件，其中所述场停止区域的掺杂浓度是所述漂移区域的掺杂浓度的5倍与20倍之间。

9.权利要求1的所述晶体管器件，进一步包括：

源电极，被电耦合到源区域、基体区域和场电极。

10.权利要求9的所述晶体管器件，

其中所述源电极包括具有前末端和侧墙的接触插塞，

其中所述前末端接触场电极（31），并且其中所述侧墙接触所述基体区域。

11.权利要求10的所述晶体管器件，

其中所述基体区域包括接触区域，所述接触区域与所述接触插塞相邻并且比与所述栅电介质相邻的基体区域的区域更高掺杂。

12.一种用于形成晶体管器件的方法，包括：

通过以下步骤形成场电极结构：在半导体基体的第一表面中形成槽，在上槽部分中形成所述槽的侧墙上的保护层，在未被所述保护层覆盖的侧墙部分上和在槽的底部上形成电介质层并且至少在所述电介质层上形成场电极；

形成关于第一表面与所述场电极结构水平间隔开的栅电极电介质和栅电极；

形成与所述栅电极相邻并且通过栅电极电介质与所述栅电极电介质绝缘的基体区域；并且

在所述基体区域中形成源区域；

其中所述场电极结构具有与半导体基体相邻的基本恒定的第一宽度和与基体区域相邻的基本恒定的第二宽度，

其中所述第一宽度大于所述第二宽度；并且

其中所述栅电极是在垂直方向上的槽电极。

13.权利要求12的所述方法，进一步包括：

在所述保护层上形成场电极。

14.权利要求12的所述方法，其中形成所述电介质层包括热氧化槽的底部和未覆盖的侧墙。

15.权利要求14的所述方法，其中所述保护层是氮化物层。