[发明专利]一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法

权利要求书

1.一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法，其特征在于步骤如下：

1）将市售Mo、Ni和Co的一种和Si粉按一定质量百分比组成进行称重、混合，球磨制成金属混合粉末；

2）将上述金属混合粉末烘干、过筛；

3）取部分上述过筛好的金属混合粉末，加入有机粘结剂，充分搅拌后得到均匀膏剂；

4）将膏剂覆盖在清洁处理的碳化硅陶瓷表面上；

5）将涂覆的碳化硅陶瓷片，置于真空度≤4×10^-2Pa的真空炉，以3~10℃/min加热至一定温度，保温一定时间，使金属混合粉末完全熔覆在陶瓷表面，再以3~5℃/min冷却至室温，形成致密的金属涂层。

2.如权利要求1所述的一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法，其特征在于所述的Mo、Ni和Co的一种和Si粉按一定质量百分比组成指：10~40%的Mo，15~40%的Ni或Co，30~70%的Si。

3.如权利要求1所述的一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法，其特征在于：所述的球磨指：在滚筒球磨机中，以硬质合金球或玛瑙球为磨球，酒精为球磨介质，球磨24~72小时制成金属混合粉末。

4.如权利要求1所述的一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法，其特征在于：所述的烘干指置于80℃真空烘箱中烘干；所述的过筛指过200目筛。

5.如权利要求1所述的一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法，其特征在于：所述的有机粘结剂为松油醇+乙基纤维素溶液，且松油醇：乙基纤维素：金属混合粉末= 9g: 1g: 10g。

6.如权利要求1所述的一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法，其特征在于：所述的将膏剂覆盖在清洁处理的碳化硅陶瓷表面上是采用手工涂刷或丝网印刷方法将膏剂覆盖在清洁处理的碳化硅陶瓷表面上。

7.如权利要求1所述的一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法，其特征在于：所述的真空熔覆温度为1250~1400 ℃，保温时间为10~30 min。