[发明专利]复合硅基材料及其制法和应用

权利要求书

1.一种复合硅基材料，其特征在于，所述复合硅基材料包括：

p型硅基底；

位于所述p型硅基底至少一个主表面的带负电的钝化膜；

所述钝化膜包括至少一层带负电的掺杂态氧化硅层，且所述掺杂态氧化硅层中使所述氧化硅层带负电的掺杂元素的含量为0.01～10％，按所述掺杂元素所在掺杂态氧化硅层的总原子数计；

且所述钝化膜总体带负电量，且所述钝化膜所带的负电荷密度为10¹²～10¹³cm^-2。

2.根据权利要求1所述的复合硅基材料，其特征在于，所述复合硅基材料是如下制备的：

a)提供p型硅基底；

b)在所述p型硅基底至少一个主表面上生长带负电的所述钝化膜，从而得到所述的复合硅基材料；

且所述步骤b)包括：

通过化学气相沉积法在所述p型硅基底上沉积至少一层所述掺杂态氧化硅层，得到p型硅基底-掺杂态氧化硅层，然后对生成的p型硅基底-掺杂态氧化硅层进行退火处理。

3.根据权利要求2所述的复合硅基材料，其特征在于，所述退火处理的温度为150～1000℃；和/或

所述退火处理的时间为0.5～120min。

4.根据权利要求1所述的复合硅基材料，其特征在于，所述掺杂元素包括：磷、砷、锑、铋，或其组合。

5.根据权利要求1所述的复合硅基材料，其特征在于，所述掺杂元素为磷、砷、锑、铋的组合。

6.根据权利要求1所述的复合硅基材料，其特征在于，所述掺杂态氧化硅层的厚度为1～300nm。

7.根据权利要求1所述的复合硅基材料，其特征在于，所述钝化膜为多层复合膜。

8.根据权利要求7所述的复合硅基材料，其特征在于，所述钝化膜中掺杂态氧化硅层的厚度含量占钝化膜总厚度的3～100％。

9.一种如权利要求1所述的复合硅基材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

a)提供p型硅基底；

b)在所述p型硅基底至少一个主表面上生长带负电的所述钝化膜，从而得到如权利要求1所述的复合硅基材料；

且所述步骤b)包括：

通过化学气相沉积法在所述p型硅基底上沉积至少一层所述掺杂态氧化硅层，得到p型硅基底-掺杂态氧化硅层，然后对生成的p型硅基底-掺杂态氧化硅层进行退火处理。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为150～1000℃；和/或

所述退火处理的时间为0.5～120min。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积法是在混合气体中进行的，该混合气体包括含有硅元素的气体一、含有氧元素的气体二和含有掺杂元素的气体三。

12.一种太阳电池，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的复合硅基材料。